на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 42.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7464DP-T1-E3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V.
Інші пропозиції SI7464DP-T1-E3 за ціною від 52.88 грн до 133.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7464DP-T1-E3 | Виробник : Vishay |
 SI7464DP-T1-E3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 200V 1.8A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Arrow.com |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI7464DP-T1-E3 | Виробник : Vishay |
SI7464DP-T1-E3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 200V 1.8A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Arrow.com |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI7464DP-T1-E3 | Виробник : Vishay |
SI7464DP-T1-E3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 200V 1.8A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Arrow.com |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI7464DP-T1-E3 | Виробник : Vishay |
SI7464DP-T1-E3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 200V 1.8A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Arrow.com |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI7464DP-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V |
на замовлення 2790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SI7464DP-T1-E3 |
|
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
|
SI7464DP-T1-E3 | Виробник : Vishay |
SI7464DP-T1-E3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 200V 1.8A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Arrow.com |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| SI7464DP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
SI7464DP-T1-E3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
SI7464DP-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
SI7464DP-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
товару немає в наявності |