Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7464DP-T1-E3
SI7464DP-T1-E3

SI7464DP-T1-E3 Vishay Siliconix

si7464dp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
на замовлення 1609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+92.70 грн
10+74.13 грн
100+63.48 грн
500+56.83 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7464DP-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: PowerPAK® SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.8A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ).

Інші пропозиції SI7464DP-T1-E3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI7464DP-T1-E3 si7464dp.pdf
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7464DP-T1-E3 si7464dp.pdf
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.