SI7464DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 131.97 грн |
| 10+ | 105.38 грн |
| 100+ | 83.92 грн |
| 500+ | 66.64 грн |
| 1000+ | 56.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7464DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V.
Інші пропозиції SI7464DP-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7464DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFET 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 2999 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI7464DP-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
MOSFET 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)