SI7465DP-T1-E3

SI7465DP-T1-E3 Vishay Siliconix


73113.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+38.55 грн
6000+34.63 грн
9000+34.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7465DP-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V.

Інші пропозиції SI7465DP-T1-E3 за ціною від 34.42 грн до 120.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7465DP-T1-E3 SI7465DP-T1-E3 Виробник : Vishay 73113.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+39.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-E3 SI7465DP-T1-E3 Виробник : Vishay 73113.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+74.62 грн
10+73.87 грн
25+73.13 грн
100+56.34 грн
250+51.63 грн
500+41.75 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-E3 SI7465DP-T1-E3 Виробник : Vishay 73113.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
153+79.55 грн
155+78.76 грн
194+62.92 грн
250+60.05 грн
500+46.84 грн
Мінімальне замовлення: 153
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-E3 SI7465DP-T1-E3 Виробник : VISHAY 73113.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -5A; Idm: -25A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5A
Power dissipation: 3.5W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -25A
на замовлення 2424 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+87.27 грн
10+66.51 грн
18+53.51 грн
48+50.46 грн
500+48.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-E3 SI7465DP-T1-E3 Виробник : VISHAY 73113.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -5A; Idm: -25A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5A
Power dissipation: 3.5W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -25A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2424 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+104.72 грн
10+82.88 грн
18+64.22 грн
48+60.55 грн
500+58.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-E3 SI7465DP-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix 73113.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
на замовлення 10264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+117.50 грн
10+79.58 грн
100+58.05 грн
500+41.44 грн
1000+39.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-E3 SI7465DP-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors 73113.pdf MOSFETs -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 150924 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.73 грн
10+83.39 грн
100+54.97 грн
500+42.42 грн
1000+38.24 грн
3000+34.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-E3 Виробник : Vishay 73113.pdf
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-E3 Виробник : Vishay 73113.pdf 10 SOP8
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-E3
Код товару: 199543
Додати до обраних Обраний товар

73113.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-E3 SI7465DP-T1-E3 Виробник : Vishay 73113.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.