Інші пропозиції SI7465DP-T1-E3 за ціною від 28.48 грн до 138.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7465DP-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI7465DP-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7465DP-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7465DP-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7465DP-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7465DP-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 729 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI7465DP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -3.2A; Idm: -25A Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Case: PowerPAK® SO8 Kind of package: reel; tape Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Pulsed drain current: -25A Drain current: -3.2A Gate charge: 40nC On-state resistance: 64mΩ Power dissipation: 0.94W Gate-source voltage: ±20V |
на замовлення 1237 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7465DP-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7465DP-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 729 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7465DP-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V |
на замовлення 29363 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI7465DP-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 125748 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SI7465DP-T1-E3 | Виробник : Vishay |
|
на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| SI7465DP-T1-E3 | Виробник : Vishay |
MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |