Інші пропозиції SI7465DP-T1-E3 за ціною від 32.63 грн до 137.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7465DP-T1-E3 | Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI7465DP-T1-E3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI7465DP-T1-E3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI7465DP-T1-E3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI7465DP-T1-E3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI7465DP-T1-E3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 729 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI7465DP-T1-E3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI7465DP-T1-E3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 729 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI7465DP-T1-E3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -3.2A; Idm: -25A Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -3.2A Power dissipation: 0.94W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 64mΩ Mounting: SMD Gate charge: 40nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: -25A Technology: TrenchFET® |
на замовлення 653 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI7465DP-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V |
на замовлення 37655 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI7465DP-T1-E3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 124527 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI7465DP-T1-E3 | Vishay |
|
на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI7465DP-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 37.70 грн |
| 9000+ | 32.63 грн |
| SI7465DP-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 46.73 грн |
| SI7465DP-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 46.82 грн |
| SI7465DP-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 47.77 грн |
| SI7465DP-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 47.77 грн |
| SI7465DP-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 201+ | 70.23 грн |
| 202+ | 69.89 грн |
| 240+ | 58.87 грн |
| 250+ | 56.43 грн |
| 500+ | 42.84 грн |
| SI7465DP-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 78.00 грн |
| 18000+ | 71.28 грн |
| 27000+ | 66.32 грн |
| 36000+ | 60.31 грн |
| SI7465DP-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 82.26 грн |
| 11+ | 70.23 грн |
| 25+ | 69.89 грн |
| 100+ | 56.76 грн |
| 250+ | 52.25 грн |
| 500+ | 41.13 грн |
| SI7465DP-T1-E3 |
|
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -3.2A; Idm: -25A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.2A
Power dissipation: 0.94W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -25A
Technology: TrenchFET®
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -3.2A; Idm: -25A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.2A
Power dissipation: 0.94W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -25A
Technology: TrenchFET®
на замовлення 653 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 104.84 грн |
| 10+ | 66.03 грн |
| 100+ | 52.48 грн |
| SI7465DP-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
на замовлення 37655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 137.66 грн |
| 10+ | 84.41 грн |
| 50+ | 63.51 грн |
| 100+ | 53.28 грн |
| 500+ | 42.17 грн |
| SI7465DP-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
MOSFETs -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 124527 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SI7465DP-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)