Продукція > VISHAY > SI7465DP-T1-GE3
SI7465DP-T1-GE3

SI7465DP-T1-GE3 Vishay


73113.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+35.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7465DP-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI7465DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.051 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Інші пропозиції SI7465DP-T1-GE3 за ціною від 32.78 грн до 92.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7465DP-T1-GE3 SI7465DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix 73113.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+38.55 грн
6000+34.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-GE3 SI7465DP-T1-GE3 Виробник : Vishay 73113.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+39.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-GE3 SI7465DP-T1-GE3 Виробник : Vishay 73113.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+40.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-GE3 SI7465DP-T1-GE3 Виробник : Vishay 73113.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
217+56.27 грн
218+55.97 грн
244+49.93 грн
308+38.13 грн
Мінімальне замовлення: 217
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-GE3 SI7465DP-T1-GE3 Виробник : Vishay 73113.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+57.41 грн
12+52.25 грн
25+51.97 грн
100+44.71 грн
250+32.78 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-GE3 SI7465DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0001110058-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7465DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.051 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 4269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
150+57.88 грн
500+46.40 грн
1000+40.86 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-GE3 SI7465DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY 73113.pdf Description: VISHAY - SI7465DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.051 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm
на замовлення 2048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+75.66 грн
50+65.37 грн
100+55.08 грн
500+49.62 грн
1500+44.39 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-GE3 SI7465DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix 73113.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
на замовлення 6370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.60 грн
10+58.48 грн
100+48.67 грн
500+41.01 грн
1000+38.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-GE3 SI7465DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors 73113.pdf MOSFETs -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 39642 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.47 грн
10+70.22 грн
100+45.50 грн
500+39.19 грн
1000+38.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY 73113.pdf SI7465DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.