Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7465DP-T1-GE3
SI7465DP-T1-GE3

SI7465DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

73113.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+34.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7465DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI7465DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.064 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SI7465DP-T1-GE3 за ціною від 35.49 грн до 125.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI7465DP-T1-GE3 SI7465DP-T1-GE3 Vishay 73113.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+46.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-GE3 SI7465DP-T1-GE3 Vishay 73113.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+46.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-GE3 SI7465DP-T1-GE3 Vishay 73113.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+47.62 грн
6000+44.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-GE3 SI7465DP-T1-GE3 Vishay 73113.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+47.62 грн
6000+44.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-GE3 SI7465DP-T1-GE3 Vishay 73113.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
283+49.98 грн
286+49.36 грн
290+48.73 грн
294+46.39 грн
Мінімальне замовлення: 283 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-GE3 SI7465DP-T1-GE3 Vishay 73113.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+50.62 грн
16+49.98 грн
25+49.36 грн
100+46.99 грн
250+42.95 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-GE3 SI7465DP-T1-GE3 Vishay Siliconix 73113.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.91 грн
10+77.04 грн
100+51.81 грн
500+38.48 грн
1000+35.49 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-GE3 SI7465DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors 73113.pdf MOSFETs -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 29927 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-GE3 SI7465DP-T1-GE3 VISHAY 73113.pdf Description: VISHAY - SI7465DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.064 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-GE3 SI7465DP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0001110058-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7465DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.064 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-GE3 73113.pdf
SI7465DP-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+46.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-GE3 73113.pdf
SI7465DP-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+46.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-GE3 73113.pdf
SI7465DP-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+47.62 грн
6000+44.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-GE3 73113.pdf
SI7465DP-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+47.62 грн
6000+44.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-GE3 73113.pdf
SI7465DP-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
283+49.98 грн
286+49.36 грн
290+48.73 грн
294+46.39 грн
Мінімальне замовлення: 283 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-GE3 73113.pdf
SI7465DP-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+50.62 грн
16+49.98 грн
25+49.36 грн
100+46.99 грн
250+42.95 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-GE3 73113.pdf
SI7465DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+125.91 грн
10+77.04 грн
100+51.81 грн
500+38.48 грн
1000+35.49 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-GE3 73113.pdf
SI7465DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 29927 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-GE3 73113.pdf
SI7465DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7465DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.064 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-GE3 VISH-S-A0001110058-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI7465DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7465DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.064 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.