SI7465DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 36.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7465DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI7465DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.064 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SI7465DP-T1-GE3 за ціною від 33.38 грн до 133.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7465DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI7465DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI7465DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI7465DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI7465DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 331 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI7465DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI7465DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 331 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI7465DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7465DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.064 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 893 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI7465DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 33735 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI7465DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7465DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.064 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 613 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI7465DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V |
на замовлення 5056 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SI7465DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -3.2A; Idm: -25A Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Technology: TrenchFET® Type of transistor: P-MOSFET Case: PowerPAK® SO8 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Pulsed drain current: -25A Drain current: -3.2A Gate charge: 40nC On-state resistance: 64mΩ Power dissipation: 0.94W Gate-source voltage: ±20V |
товару немає в наявності |