SI7465DP-T1-GE3

SI7465DP-T1-GE3 Vishay Siliconix


73113.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+34.56 грн
6000+ 31.7 грн
9000+ 30.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7465DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI7465DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.051 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Інші пропозиції SI7465DP-T1-GE3 за ціною від 31.52 грн до 84.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI7465DP-T1-GE3 SI7465DP-T1-GE3 Виробник : Vishay 73113.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+38.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI7465DP-T1-GE3 SI7465DP-T1-GE3 Виробник : Vishay 73113.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+38.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI7465DP-T1-GE3 SI7465DP-T1-GE3 Виробник : Vishay 73113.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+39.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI7465DP-T1-GE3 SI7465DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0001110058-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7465DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.051 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 4269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
150+52.09 грн
500+ 41.76 грн
1000+ 36.77 грн
Мінімальне замовлення: 150
SI7465DP-T1-GE3 SI7465DP-T1-GE3 Виробник : Vishay 73113.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
217+54.09 грн
218+ 53.8 грн
244+ 48 грн
308+ 36.66 грн
Мінімальне замовлення: 217
SI7465DP-T1-GE3 SI7465DP-T1-GE3 Виробник : Vishay 73113.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+55.19 грн
12+ 50.23 грн
25+ 49.96 грн
100+ 42.98 грн
250+ 31.52 грн
Мінімальне замовлення: 11
SI7465DP-T1-GE3 SI7465DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors 73113.pdf MOSFET -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 41619 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+78.6 грн
10+ 65.17 грн
100+ 43 грн
500+ 38.05 грн
1000+ 34.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
SI7465DP-T1-GE3 SI7465DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix 73113.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
на замовлення 27927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+83.6 грн
10+ 65.84 грн
100+ 51.21 грн
500+ 40.73 грн
1000+ 33.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
SI7465DP-T1-GE3 SI7465DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0001110058-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7465DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.051 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 4269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+84.47 грн
11+ 69.21 грн
100+ 52.09 грн
500+ 41.76 грн
1000+ 36.77 грн
Мінімальне замовлення: 9
SI7465DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY 73113.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.2A; Idm: -25A; 0.94W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.2A
Pulsed drain current: -25A
Power dissipation: 0.94W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI7465DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY 73113.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.2A; Idm: -25A; 0.94W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.2A
Pulsed drain current: -25A
Power dissipation: 0.94W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній