Продукція > VISHAY > SI7465DP-T1-GE3
SI7465DP-T1-GE3

SI7465DP-T1-GE3 Vishay


73113.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+36.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7465DP-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI7465DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.064 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SI7465DP-T1-GE3 за ціною від 35.41 грн до 111.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7465DP-T1-GE3 SI7465DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix 73113.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+36.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-GE3 SI7465DP-T1-GE3 Виробник : Vishay 73113.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+40.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-GE3 SI7465DP-T1-GE3 Виробник : Vishay 73113.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+41.08 грн
6000+38.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-GE3 SI7465DP-T1-GE3 Виробник : Vishay 73113.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+42.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-GE3 SI7465DP-T1-GE3 Виробник : Vishay 73113.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
283+43.11 грн
286+42.58 грн
290+42.03 грн
294+40.01 грн
Мінімальне замовлення: 283
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-GE3 SI7465DP-T1-GE3 Виробник : Vishay 73113.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+44.01 грн
6000+41.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-GE3 SI7465DP-T1-GE3 Виробник : Vishay 73113.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+46.77 грн
16+46.19 грн
25+45.62 грн
100+43.43 грн
250+39.69 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-GE3 SI7465DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0001110058-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7465DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.064 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+74.15 грн
500+58.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-GE3 SI7465DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix 73113.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
на замовлення 6033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+80.55 грн
10+58.49 грн
100+48.81 грн
500+41.00 грн
1000+37.97 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-GE3 SI7465DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors 73113.pdf MOSFETs -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 33755 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.40 грн
10+73.14 грн
100+52.05 грн
500+41.26 грн
1000+38.07 грн
3000+35.94 грн
6000+35.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-GE3 SI7465DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY 73113.pdf Description: VISHAY - SI7465DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.064 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+111.66 грн
50+80.12 грн
100+67.08 грн
500+50.65 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY 73113.pdf SI7465DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.