SI7469ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 80V 7.4A/46A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 73.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420 pF @ 40 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 187.04 грн |
| 10+ | 116.15 грн |
| 100+ | 79.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7469ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI7469ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 46 A, 0.0161 ohm, PowerSO, Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80, Dauer-Drainstrom Id: 46, Qualifikation: -, Verlustleistung Pd: 73.5, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6, Verlustleistung: 73.5, Bauform - Transistor: PowerSO, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: TrenchFET Gen IV, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0161, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0161, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).
Інші пропозиції SI7469ADP-T1-RE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7469ADP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs POWRPK P CHAN 80V |
на замовлення 3660 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI7469ADP-T1-RE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs POWRPK P CHAN 80V
MOSFETs POWRPK P CHAN 80V
на замовлення 3660 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)