Продукція > VISHAY > SI7469DP-T1-E3
SI7469DP-T1-E3

SI7469DP-T1-E3 Vishay

si7469dp.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 80V 28A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 468000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+70.87 грн
6000+69.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7469DP-T1-E3 Vishay

Description: VISHAY - SI7469DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 28 A, 0.021 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 28A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI7469DP-T1-E3 за ціною від 74.57 грн до 230.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7469DP-T1-E3 SI7469DP-T1-E3 Виробник : Vishay si7469dp.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 28A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 468000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+76.32 грн
6000+74.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7469DP-T1-E3 SI7469DP-T1-E3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0000149123-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7469DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 28 A, 0.021 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 9027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+189.82 грн
50+160.11 грн
100+136.17 грн
500+104.22 грн
1500+91.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI7469DP-T1-E3
Код товару: 184248
Додати до обраних Обраний товар

si7469dp.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7469DP-T1-E3 SI7469DP-T1-E3 Виробник : Vishay si7469dp.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 28A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+77.10 грн
6000+75.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7469DP-T1-E3 SI7469DP-T1-E3 Виробник : Vishay si7469dp.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 28A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+78.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7469DP-T1-E3 SI7469DP-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si7469dp.pdf Description: MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+81.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7469DP-T1-E3 SI7469DP-T1-E3 Виробник : Vishay si7469dp.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 28A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+83.12 грн
6000+81.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7469DP-T1-E3 SI7469DP-T1-E3 Виробник : Vishay si7469dp.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 28A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+105.22 грн
4000+94.86 грн
10000+87.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7469DP-T1-E3 SI7469DP-T1-E3 Виробник : Vishay si7469dp.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 28A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+133.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7469DP-T1-E3 SI7469DP-T1-E3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0000149123-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7469DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 28 A, 0.021 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 9027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+136.17 грн
500+104.22 грн
1500+91.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI7469DP-T1-E3 SI7469DP-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si7469dp.pdf Description: MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V
на замовлення 9681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+168.71 грн
10+128.05 грн
100+111.79 грн
500+87.94 грн
1000+85.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7469DP-T1-E3 SI7469DP-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si7469dp.pdf MOSFETs -80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 116319 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+199.98 грн
10+153.13 грн
100+107.41 грн
250+95.64 грн
500+87.55 грн
1000+83.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7469DP-T1-E3 Виробник : Vishay si7469dp.pdf Транз. Пол. БМ PowerPAK® SO-8 MOSFET P-channel -80V; -28A; 29mohm@-4,5VGS Pmax=83 W
на замовлення 5 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
2+230.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7469DP-T1-E3 SI7469DP-T1-E3 Виробник : Vishay si7469dp.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 28A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7469DP-T1-E3 Виробник : VISHAY si7469dp.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -80V; -28A; Idm: -40A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -28A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 83W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 160nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7469DP-T1-E3 Виробник : VISHAY si7469dp.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -80V; -28A; Idm: -40A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -28A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 83W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 160nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.