на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 81.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7469DP-T1-E3 Vishay
Description: VISHAY - SI7469DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 28 A, 0.025 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 28A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SI7469DP-T1-E3 за ціною від 84.24 грн до 218.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7469DP-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10.2A, 10V Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 83.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI7469DP-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 80V 28A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI7469DP-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 80V 28A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI7469DP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7469DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 28 A, 0.025 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI7469DP-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10.2A, 10V Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 83.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V |
на замовлення 9681 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI7469DP-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 103089 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI7469DP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7469DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 28 A, 0.025 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SI7469DP-T1-E3 Код товару: 184248
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові P-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||
|
|
SI7469DP-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 80V 28A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
SI7469DP-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 80V 28A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| SI7469DP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
SI7469DP-T1-E3 SMD P channel transistors |
товару немає в наявності |