Продукція > VISHAY > SI7469DP-T1-GE3
SI7469DP-T1-GE3

SI7469DP-T1-GE3 Vishay

si7469dp.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 80V 28A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+79.61 грн
6000+79.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7469DP-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI7469DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, p-Kanal, 80 V, 28 A, 0.021 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 28A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI7469DP-T1-GE3 за ціною від 78.83 грн до 196.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7469DP-T1-GE3 SI7469DP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7469dp.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 28A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+80.83 грн
6000+80.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7469DP-T1-GE3 SI7469DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7469dp.pdf Description: MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+81.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7469DP-T1-GE3 SI7469DP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7469dp.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 28A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+85.83 грн
6000+85.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7469DP-T1-GE3 SI7469DP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7469dp.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 28A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+87.05 грн
6000+86.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7469DP-T1-GE3 SI7469DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0000149123-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7469DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, p-Kanal, 80 V, 28 A, 0.021 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+127.61 грн
500+103.21 грн
1500+91.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI7469DP-T1-GE3 SI7469DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7469dp.pdf Description: MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V
на замовлення 7668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+148.46 грн
10+117.88 грн
100+101.78 грн
500+85.11 грн
1000+78.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7469DP-T1-GE3 SI7469DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0000149123-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7469DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, p-Kanal, 80 V, 28 A, 0.021 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+189.36 грн
50+151.49 грн
100+127.61 грн
500+103.21 грн
1500+91.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI7469DP-T1-GE3 SI7469DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si7469dp.pdf MOSFETs -80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 118364 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+196.08 грн
10+141.79 грн
100+96.88 грн
250+91.74 грн
500+84.40 грн
1000+83.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7469DP-T1-GE3 SI7469DP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7469dp.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 28A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7469DP-T1-GE3 транзистор
Код товару: 197166
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7469DP-T1-GE3 SI7469DP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7469dp.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 28A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7469DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7469dp.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -80V; -28A; Idm: -40A; 53W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -28A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 53W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 160nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7469DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7469dp.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -80V; -28A; Idm: -40A; 53W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -28A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 53W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 160nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.