SI7469DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 78.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7469DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI7469DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, p-Kanal, 80 V, 28 A, 0.025 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 28A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції SI7469DP-T1-GE3 за ціною від 79.16 грн до 320.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7469DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 80V 28A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7469DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 80V 28A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI7469DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7469DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, p-Kanal, 80 V, 28 A, 0.025 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2080 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7469DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10.2A, 10V Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 83.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V |
на замовлення 19148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI7469DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 100304 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7469DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7469DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, p-Kanal, 80 V, 28 A, 0.025 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2080 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7469DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 80V 28A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
SI7469DP-T1-GE3 транзистор Код товару: 197166
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові P-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
 |
SI7469DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 80V 28A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
SI7469DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 80V 28A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| SI7469DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -80V; -28A; Idm: -40A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -80V Drain current: -28A Pulsed drain current: -40A Power dissipation: 53W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25mΩ Mounting: SMD Gate charge: 160nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |