Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > SI7469DP-T1-GE3 транзистор

SI7469DP-T1-GE3 транзистор

Код товару: 197166
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SI7469DP-T1-GE3 транзистор за ціною від 70.64 грн до 260.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI7469DP-T1-GE3 SI7469DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7469dp.pdf Description: MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+75.65 грн
6000+70.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7469DP-T1-GE3 SI7469DP-T1-GE3 Vishay si7469dp.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 28A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+99.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7469DP-T1-GE3 SI7469DP-T1-GE3 Vishay si7469dp.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 28A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+99.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7469DP-T1-GE3 SI7469DP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0000149123-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7469DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, p-Kanal, 80 V, 28 A, 0.025 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+143.90 грн
500+110.72 грн
1500+90.92 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7469DP-T1-GE3 SI7469DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7469dp.pdf Description: MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V
на замовлення 15160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+246.60 грн
10+154.62 грн
100+107.59 грн
500+82.10 грн
1000+81.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7469DP-T1-GE3 SI7469DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors si7469dp.pdf MOSFETs -80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 97870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+254.91 грн
10+164.54 грн
100+99.38 грн
500+81.05 грн
1000+80.35 грн
3000+76.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7469DP-T1-GE3 SI7469DP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0000149123-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7469DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, p-Kanal, 80 V, 28 A, 0.025 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 8625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+260.67 грн
50+170.22 грн
100+120.06 грн
500+101.55 грн
1500+81.76 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7469DP-T1-GE3 SI7469DP-T1-GE3 Vishay si7469dp.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 28A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7469DP-T1-GE3 si7469dp.pdf
SI7469DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+75.65 грн
6000+70.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7469DP-T1-GE3 si7469dp.pdf
SI7469DP-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 80V 28A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+99.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7469DP-T1-GE3 si7469dp.pdf
SI7469DP-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 80V 28A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+99.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7469DP-T1-GE3 VISH-S-A0000149123-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI7469DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7469DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, p-Kanal, 80 V, 28 A, 0.025 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+143.90 грн
500+110.72 грн
1500+90.92 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7469DP-T1-GE3 si7469dp.pdf
SI7469DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V
на замовлення 15160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+246.60 грн
10+154.62 грн
100+107.59 грн
500+82.10 грн
1000+81.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7469DP-T1-GE3 si7469dp.pdf
SI7469DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 97870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+254.91 грн
10+164.54 грн
100+99.38 грн
500+81.05 грн
1000+80.35 грн
3000+76.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7469DP-T1-GE3 VISH-S-A0000149123-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI7469DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7469DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, p-Kanal, 80 V, 28 A, 0.025 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 8625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+260.67 грн
50+170.22 грн
100+120.06 грн
500+101.55 грн
1500+81.76 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7469DP-T1-GE3 si7469dp.pdf
SI7469DP-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 80V 28A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.