Продукція > VISHAY > SI7483ADP-T1-E3

SI7483ADP-T1-E3 VISHAY

Виробник: VISHAY
09+

на замовлення 518 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SI7483ADP-T1-E3 VISHAY

Description: MOSFET P-CH 30V 14A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 24A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V.

Інші пропозиції SI7483ADP-T1-E3

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
SI7483ADP-T1-E3	Виробник : VISHAY		на замовлення 60 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
SI7483ADP-T1-E3	Виробник : Vishay	Trans MOSFET P-CH 30V 14A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SI7483ADP-T1-E3	Виробник : Vishay Siliconix	Description: MOSFET P-CH 30V 14A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SI7483ADP-T1-E3	Виробник : Vishay Siliconix	Description: MOSFET P-CH 30V 14A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.