Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7489DP-T1-E3
SI7489DP-T1-E3

SI7489DP-T1-E3 Vishay Siliconix

si7489dp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+81.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7489DP-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 7.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V.

Інші пропозиції SI7489DP-T1-E3 за ціною від 74.71 грн до 256.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI7489DP-T1-E3 SI7489DP-T1-E3 Vishay Semiconductors si7489dp.pdf MOSFETs -100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 7345 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+226.95 грн
10+154.81 грн
100+102.20 грн
500+83.87 грн
1000+77.53 грн
3000+74.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7489DP-T1-E3 SI7489DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7489dp.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V
на замовлення 27663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+256.12 грн
10+161.11 грн
100+112.09 грн
500+85.54 грн
1000+79.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7489DP-T1-E3 VISHAY si7489dp.pdf 09+
на замовлення 518 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7489DP-T1-E3 si7489dp.pdf
SI7489DP-T1-E3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 7345 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+226.95 грн
10+154.81 грн
100+102.20 грн
500+83.87 грн
1000+77.53 грн
3000+74.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7489DP-T1-E3 si7489dp.pdf
SI7489DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V
на замовлення 27663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+256.12 грн
10+161.11 грн
100+112.09 грн
500+85.54 грн
1000+79.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7489DP-T1-E3 si7489dp.pdf
Виробник: VISHAY
09+
на замовлення 518 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.