на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 81.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7489DP-T1-E3 Vishay
Description: MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 7.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V.
Інші пропозиції SI7489DP-T1-E3 за ціною від 74.58 грн до 184.91 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SI7489DP-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SI7489DP-T1-E3 | Виробник : Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 28A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SI7489DP-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V |
на замовлення 15567 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SI7489DP-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors | MOSFET -100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 20977 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SI7489DP-T1-E3 | Виробник : VISHAY | 09+ |
на замовлення 518 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
SI7489DP-T1-E3 | Виробник : Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 28A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
SI7489DP-T1-E3 | Виробник : VISHAY | SI7489DP-T1-E3 SMD P channel transistors |
товар відсутній |