
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 77.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7489DP-T1-E3 Vishay
Description: MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 7.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V.
Інші пропозиції SI7489DP-T1-E3 за ціною від 77.98 грн до 257.05 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SI7489DP-T1-E3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SI7489DP-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SI7489DP-T1-E3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SI7489DP-T1-E3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SI7489DP-T1-E3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SI7489DP-T1-E3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SI7489DP-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 7345 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SI7489DP-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V |
на замовлення 27663 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
SI7489DP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
![]() |
на замовлення 518 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
![]() |
SI7489DP-T1-E3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
SI7489DP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |