SI7489DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7489DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI7489DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 28 A, 0.041 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 28A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SI7489DP-T1-GE3 за ціною від 77.76 грн до 251.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7489DP-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 28A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SI7489DP-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 28A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SI7489DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 83W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 7.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 11417 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SI7489DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs -100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 69222 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
SI7489DP-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI7489DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 28 A, 0.041 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 24236 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
SI7489DP-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI7489DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 28 A, 0.041 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 24236 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| SI7489DP-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 28A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 28A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 98.14 грн |
| SI7489DP-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 28A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 28A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 98.14 грн |
| SI7489DP-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 7.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 7.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 251.83 грн |
| 10+ | 158.15 грн |
| 100+ | 110.03 грн |
| 500+ | 83.96 грн |
| 1000+ | 77.76 грн |
| SI7489DP-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
MOSFETs -100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 69222 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SI7489DP-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7489DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 28 A, 0.041 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SI7489DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 28 A, 0.041 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 24236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI7489DP-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7489DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 28 A, 0.041 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SI7489DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 28 A, 0.041 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 24236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)