SI7489DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V
на замовлення 10694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 75.07 грн |
| 6000+ | 69.57 грн |
| 9000+ | 67.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7489DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI7489DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 28 A, 0.033 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 28A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SI7489DP-T1-GE3 за ціною від 71.41 грн до 202.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7489DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 28A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SI7489DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 28A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SI7489DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7489DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 28 A, 0.033 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 22844 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI7489DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V |
на замовлення 10694 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SI7489DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET -100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 92352 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI7489DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 28A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
на замовлення 8681 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI7489DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7489DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 28 A, 0.033 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 22844 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI7489DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 28A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
| SI7489DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -28A; Idm: -40A; 53W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -28A Pulsed drain current: -40A Power dissipation: 53W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 41mΩ Mounting: SMD Gate charge: 160nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
| SI7489DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -28A; Idm: -40A; 53W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -28A Pulsed drain current: -40A Power dissipation: 53W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 41mΩ Mounting: SMD Gate charge: 160nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |