Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7540ADP-T1-GE3
SI7540ADP-T1-GE3

SI7540ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix

si7540adp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 12A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Power - Max: 3.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+51.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7540ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI7540ADP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 8 A, 8 A, 0.0115 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0115ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0115ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026).

Інші пропозиції SI7540ADP-T1-GE3 за ціною від 45.25 грн до 186.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI7540ADP-T1-GE3 SI7540ADP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0002932829-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7540ADP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 8 A, 8 A, 0.0115 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0115ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0115ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 121057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+82.28 грн
500+56.13 грн
1000+47.83 грн
5000+45.25 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7540ADP-T1-GE3 SI7540ADP-T1-GE3 Vishay Semiconductors si7540adp.pdf MOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 3033 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+173.52 грн
10+110.82 грн
100+66.06 грн
500+52.58 грн
1000+52.02 грн
3000+50.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7540ADP-T1-GE3 SI7540ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7540adp.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 12A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Power - Max: 3.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
на замовлення 4851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.54 грн
10+109.91 грн
100+75.14 грн
500+56.55 грн
1000+52.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7540ADP-T1-GE3 SI7540ADP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0002932829-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7540ADP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 8 A, 8 A, 0.0115 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0115ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0115ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 121057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+186.56 грн
10+119.75 грн
100+82.28 грн
500+56.13 грн
1000+47.83 грн
5000+45.25 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7540ADP-T1-GE3 VISH-S-A0002932829-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI7540ADP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7540ADP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 8 A, 8 A, 0.0115 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0115ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0115ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 121057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+82.28 грн
500+56.13 грн
1000+47.83 грн
5000+45.25 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7540ADP-T1-GE3 si7540adp.pdf
SI7540ADP-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 3033 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+173.52 грн
10+110.82 грн
100+66.06 грн
500+52.58 грн
1000+52.02 грн
3000+50.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7540ADP-T1-GE3 si7540adp.pdf
SI7540ADP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 12A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Power - Max: 3.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
на замовлення 4851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+177.54 грн
10+109.91 грн
100+75.14 грн
500+56.55 грн
1000+52.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7540ADP-T1-GE3 VISH-S-A0002932829-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI7540ADP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7540ADP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 8 A, 8 A, 0.0115 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0115ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0115ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 121057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+186.56 грн
10+119.75 грн
100+82.28 грн
500+56.13 грн
1000+47.83 грн
5000+45.25 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.