Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7611DN-T1-GE3

SI7611DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Name: SI7611DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 1978764-3
Price: 149340.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 18A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 20 V

на замовлення 39000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	49.78 грн
6000+	44.93 грн
9000+	43.73 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SI7611DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI7611DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, p-Kanal, 40 V, 18 A, 0.025 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 39W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm.

Інші пропозиції SI7611DN-T1-GE3 за ціною від 50.58 грн до 173.62 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

SI7611DN-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET P-CH 40V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	65.40 грн
6000+	63.34 грн
9000+	61.50 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7611DN-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET P-CH 40V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 48000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	70.80 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7611DN-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET P-CH 40V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 48000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	77.87 грн
6000+	77.11 грн
9000+	76.34 грн
15000+	72.88 грн
24000+	66.79 грн
30000+	63.46 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7611DN-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET P-CH 40V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	79.80 грн
6000+	72.92 грн
12000+	67.85 грн
18000+	61.71 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7611DN-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET P-CH 40V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	106.95 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7611DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 40V 18A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 20 V

на замовлення 39219 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	173.62 грн
10+	107.39 грн
100+	73.23 грн
500+	55.00 грн
1000+	50.58 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7611DN-T1-GE3

VISHAY

VISH-S-A0000786661-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: VISHAY - SI7611DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, p-Kanal, 40 V, 18 A, 0.025 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 39W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm

на замовлення 40728 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI7611DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

MOSFETs -40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 14606 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI7611DN-T1-GE3

VISHAY

Description: VISHAY - SI7611DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, p-Kanal, 40 V, 18 A, 0.021 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 50749 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7611DN-T1-GE3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	65.40 грн
6000+	63.34 грн
9000+	61.50 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7611DN-T1-GE3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 48000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	70.80 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7611DN-T1-GE3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 48000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	77.87 грн
6000+	77.11 грн
9000+	76.34 грн
15000+	72.88 грн
24000+	66.79 грн
30000+	63.46 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7611DN-T1-GE3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	79.80 грн
6000+	72.92 грн
12000+	67.85 грн
18000+	61.71 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7611DN-T1-GE3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	106.95 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7611DN-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 18A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 20 V

на замовлення 39219 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2+	173.62 грн
10+	107.39 грн
100+	73.23 грн
500+	55.00 грн
1000+	50.58 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7611DN-T1-GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7611DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, p-Kanal, 40 V, 18 A, 0.025 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 39W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm

на замовлення 40728 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI7611DN-T1-GE3

Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 14606 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI7611DN-T1-GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7611DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, p-Kanal, 40 V, 18 A, 0.021 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 50749 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.