на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 44.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7611DN-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI7611DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, p-Kanal, 40 V, 18 A, 0.021 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 39W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SI7611DN-T1-GE3 за ціною від 41.03 грн до 151.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7611DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 40V 18A PPAK1212-8Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 9.3A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 20 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI7611DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7611DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7611DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7611DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI7611DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7611DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, p-Kanal, 40 V, 18 A, 0.021 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 39W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 50749 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7611DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7611DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 40V 18A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 9.3A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 20 V |
на замовлення 4600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7611DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7611DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, p-Kanal, 40 V, 18 A, 0.025 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 39W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 43979 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI7611DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 |
на замовлення 14606 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7611DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| SI7611DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -18A; Idm: -20A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -18A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 25W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25mΩ Mounting: SMD Gate charge: 62nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |