Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7613DN-T1-GE3
SI7613DN-T1-GE3

SI7613DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

si7613dn.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 10 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+31.03 грн
6000+28.45 грн
9000+27.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7613DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 17A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52.1W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SI7613DN-T1-GE3 за ціною від 26.76 грн до 83.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7613DN-T1-GE3 SI7613DN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7613dn.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 17A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 2943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
321+40.35 грн
322+40.25 грн
500+39.58 грн
1000+38.06 грн
2000+35.05 грн
Мінімальне замовлення: 321
В кошику  од. на суму  грн.
SI7613DN-T1-GE3 SI7613DN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7613dn.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 17A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
288+45.07 грн
289+44.83 грн
291+44.59 грн
325+38.39 грн
329+35.18 грн
500+30.91 грн
1000+29.38 грн
Мінімальне замовлення: 288
В кошику  од. на суму  грн.
SI7613DN-T1-GE3 SI7613DN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7613dn.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 17A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+54.60 грн
15+49.75 грн
25+49.49 грн
50+47.46 грн
100+38.82 грн
250+36.89 грн
500+33.74 грн
1000+31.48 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SI7613DN-T1-GE3 SI7613DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7613dn.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 10 V
на замовлення 52730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.69 грн
10+59.05 грн
100+45.96 грн
500+36.56 грн
1000+29.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI7613DN-T1-GE3 SI7613DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si7613dn.pdf MOSFETs -20V Vds 16V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 9754 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.16 грн
10+61.32 грн
100+40.81 грн
500+32.08 грн
1000+28.65 грн
3000+26.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.