 
SI7613DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
 Виробник: Vishay Siliconix
                                                Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 10 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 3000+ | 32.60 грн | 
| 6000+ | 29.90 грн | 
| 9000+ | 28.52 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7613DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 17A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52.1W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 10 V. 
Інші пропозиції SI7613DN-T1-GE3 за ціною від 28.11 грн до 90.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   | SI7613DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |  Trans MOSFET P-CH 20V 17A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R | на замовлення 2943 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||
|   | SI7613DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |  Trans MOSFET P-CH 20V 17A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R | на замовлення 2150 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||
|   | SI7613DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |  Trans MOSFET P-CH 20V 17A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R | на замовлення 2150 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||
|   | SI7613DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |  Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 10 V | на замовлення 52730 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||
|   | SI7613DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |  MOSFETs -20V Vds 16V Vgs PowerPAK 1212-8 | на замовлення 9754 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||
|   | SI7613DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |  Trans MOSFET P-CH 20V 17A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R | товару немає в наявності |