Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7613DN-T1-GE3
SI7613DN-T1-GE3

SI7613DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

si7613dn.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 10 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+31.09 грн
6000+27.86 грн
9000+26.80 грн
15000+24.03 грн
21000+23.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7613DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 17A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52.1W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SI7613DN-T1-GE3 за ціною від 31.99 грн до 117.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI7613DN-T1-GE3 SI7613DN-T1-GE3 Vishay si7613dn.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 17A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 2943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
321+44.12 грн
322+44.01 грн
500+43.28 грн
1000+41.62 грн
2000+38.32 грн
Мінімальне замовлення: 321 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7613DN-T1-GE3 SI7613DN-T1-GE3 Vishay si7613dn.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 17A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
288+49.28 грн
289+49.01 грн
291+48.75 грн
325+41.97 грн
329+38.47 грн
500+33.79 грн
1000+32.13 грн
Мінімальне замовлення: 288 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7613DN-T1-GE3 SI7613DN-T1-GE3 Vishay si7613dn.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 17A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+55.72 грн
15+50.77 грн
25+50.50 грн
50+48.43 грн
100+39.61 грн
250+37.65 грн
500+34.43 грн
1000+32.13 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7613DN-T1-GE3 SI7613DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7613dn.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 10 V
на замовлення 25857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.01 грн
10+71.19 грн
100+47.49 грн
500+35.05 грн
1000+31.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7613DN-T1-GE3 SI7613DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors si7613dn.pdf MOSFETs -20V Vds 16V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 9754 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7613DN-T1-GE3 si7613dn.pdf
SI7613DN-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 17A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 2943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
321+44.12 грн
322+44.01 грн
500+43.28 грн
1000+41.62 грн
2000+38.32 грн
Мінімальне замовлення: 321 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7613DN-T1-GE3 si7613dn.pdf
SI7613DN-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 17A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
288+49.28 грн
289+49.01 грн
291+48.75 грн
325+41.97 грн
329+38.47 грн
500+33.79 грн
1000+32.13 грн
Мінімальне замовлення: 288 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7613DN-T1-GE3 si7613dn.pdf
SI7613DN-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 17A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+55.72 грн
15+50.77 грн
25+50.50 грн
50+48.43 грн
100+39.61 грн
250+37.65 грн
500+34.43 грн
1000+32.13 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7613DN-T1-GE3 si7613dn.pdf
SI7613DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 10 V
на замовлення 25857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+117.01 грн
10+71.19 грн
100+47.49 грн
500+35.05 грн
1000+31.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7613DN-T1-GE3 si7613dn.pdf
SI7613DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -20V Vds 16V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 9754 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.