Продукція > VISHAY > SI7615ADN-T1-GE3
SI7615ADN-T1-GE3

SI7615ADN-T1-GE3 Vishay

si7615adn.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+17.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7615ADN-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI7615ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 0.0035 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI7615ADN-T1-GE3 за ціною від 15.12 грн до 72.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7615ADN-T1-GE3 SI7615ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7615adn.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+18.03 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3 SI7615ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7615adn.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5590 pF @ 10 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.70 грн
6000+17.45 грн
9000+16.59 грн
15000+15.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3 SI7615ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7615adn.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+19.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3 SI7615ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7615adn.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
616+19.77 грн
Мінімальне замовлення: 616
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3 SI7615ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7615adn.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+24.20 грн
100+23.10 грн
250+21.18 грн
500+20.26 грн
1000+15.73 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3 SI7615ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7615adn.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 6020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+25.93 грн
100+25.66 грн
500+23.67 грн
1000+18.46 грн
3000+16.96 грн
6000+15.12 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3 SI7615ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7615adn.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
437+27.91 грн
441+27.63 грн
500+26.43 грн
1000+21.46 грн
3000+19.02 грн
6000+16.28 грн
Мінімальне замовлення: 437
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3 SI7615ADN-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7615adn.pdf Description: VISHAY - SI7615ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 0.0035 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+32.40 грн
500+24.42 грн
1500+20.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3 SI7615ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si7615adn.pdf MOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 62544 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.61 грн
10+36.05 грн
100+25.11 грн
500+21.77 грн
1000+18.65 грн
3000+17.20 грн
6000+16.69 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3
Код товару: 144688
Додати до обраних Обраний товар

si7615adn.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3 SI7615ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7615adn.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 1771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
235+51.83 грн
310+39.35 грн
329+37.03 грн
331+35.51 грн
500+28.17 грн
1000+21.74 грн
Мінімальне замовлення: 235
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3 SI7615ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7615adn.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5590 pF @ 10 V
на замовлення 28743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.01 грн
10+41.88 грн
100+29.94 грн
500+22.81 грн
1000+20.82 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3 SI7615ADN-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7615adn.pdf Description: VISHAY - SI7615ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 0.0035 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+65.04 грн
50+44.53 грн
100+32.40 грн
500+24.42 грн
1500+20.58 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7615adn.pdf Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 6mOhm; 22,1A; 52W; -55°C~150°C; SI7615ADN-T1-GE3 VISHAY TSI7615adn
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+24.25 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3 Виробник : Siliconix si7615adn.pdf Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 6mOhm; 22,1A; 52W; -55°C~150°C; SI7615ADN-T1-GE3 VISHAY TSI7615adn
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+55.64 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3 Виробник : Siliconix si7615adn.pdf Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 6mOhm; 22,1A; 52W; -55°C~150°C; SI7615ADN-T1-GE3 VISHAY TSI7615adn
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+55.64 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7615adn.pdf SI7615ADN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 3579 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.38 грн
33+32.38 грн
91+30.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.