Інші пропозиції SI7615ADN-T1-GE3 за ціною від 18.28 грн до 91.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI7615ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SI7615ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SI7615ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
на замовлення 871 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SI7615ADN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7615ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 4400 µohm, PowerPAK 1212, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 3299 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SI7615ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
на замовлення 853 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SI7615ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
на замовлення 2964 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SI7615ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
на замовлення 853 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SI7615ADN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7615ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 4400 µohm, PowerPAK 1212, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 3299 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SI7615ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5590 pF @ 10 V |
на замовлення 144 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SI7615ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8 |
на замовлення 10970 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SI7615ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 6mOhm; 22,1A; 52W; -55°C~150°C; SI7615ADN-T1-GE3 VISHAY TSI7615adnкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| SI7615ADN-T1-GE3 | Виробник : Siliconix |
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 6mOhm; 22,1A; 52W; -55°C~150°C; SI7615ADN-T1-GE3 VISHAY TSI7615adnкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| SI7615ADN-T1-GE3 | Виробник : Siliconix |
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 6mOhm; 22,1A; 52W; -55°C~150°C; SI7615ADN-T1-GE3 VISHAY TSI7615adnкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 9 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
SI7615ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5590 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
| 220 Ohm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-220R-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 38888
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0603
Номінал: 220 Ohm
Точність: ±1% F
Pном, W: 0,1 W
Uроб,V: 50 V
Типорозмір: 0603
SMD резистори > 0603
Номінал: 220 Ohm
Точність: ±1% F
Pном, W: 0,1 W
Uроб,V: 50 V
Типорозмір: 0603
у наявності: 13527 шт
13308 шт - склад
200 шт - РАДІОМАГ-Київ
19 шт - РАДІОМАГ-Харків
200 шт - РАДІОМАГ-Київ
19 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 200+ | 0.10 грн |
| 1000+ | 0.08 грн |
| 10000+ | 0.04 грн |
| 10 Ohm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-10R-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 27263
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0603
Номінал: 10 Ohm
Точність: ±1% F
Pном, W: 0,1 W
Uроб,V: 50 V
Типорозмір: 0603
SMD резистори > 0603
Номінал: 10 Ohm
Точність: ±1% F
Pном, W: 0,1 W
Uроб,V: 50 V
Типорозмір: 0603
у наявності: 7000 шт
7000 шт - склад
очікується:
20000 шт
20000 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 200+ | 0.10 грн |
| 1000+ | 0.08 грн |
| 10000+ | 0.04 грн |
| 100 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-100KR-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 27260
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0603
Номінал: 100 kOhm
Точність: ±1% F
Pном, W: 0,1 W
Uроб,V: 50 V
Типорозмір: 0603
SMD резистори > 0603
Номінал: 100 kOhm
Точність: ±1% F
Pном, W: 0,1 W
Uроб,V: 50 V
Типорозмір: 0603
у наявності: 919 шт
800 шт - склад
21 шт - РАДІОМАГ-Львів
98 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
21 шт - РАДІОМАГ-Львів
98 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
30000 шт
30000 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 200+ | 0.10 грн |
| 1000+ | 0.08 грн |
| 10000+ | 0.04 грн |
| 20 Ohm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-20R-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 17831
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 20 Ohm
Точність: ±1% F
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
SMD резистори > 1206
Номінал: 20 Ohm
Точність: ±1% F
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
у наявності: 500 шт
500 шт - склад
очікується:
10000 шт
10000 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 0.35 грн |
| 1000+ | 0.27 грн |
| 10000+ | 0.22 грн |
| 15 Ohm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-15R-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 4081
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 15 Ohm
Точність: ±1% F
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
SMD резистори > 1206
Номінал: 15 Ohm
Точність: ±1% F
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
у наявності: 10186 шт
9950 шт - склад
236 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
236 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 0.35 грн |
| 1000+ | 0.27 грн |
| 10000+ | 0.22 грн |






