Продукція > VISHAY > SI7615ADN-T1-GE3
SI7615ADN-T1-GE3

SI7615ADN-T1-GE3 Vishay

si7615adn.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+19.89 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7615ADN-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI7615ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 4400 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SI7615ADN-T1-GE3 за ціною від 17.93 грн до 83.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7615ADN-T1-GE3 SI7615ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7615adn.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5590 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+20.77 грн
6000+18.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3 SI7615ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7615adn.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+23.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3 SI7615ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7615adn.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+25.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3 SI7615ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7615adn.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
475+26.69 грн
Мінімальне замовлення: 475
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3 SI7615ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7615adn.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
308+41.18 грн
378+33.57 грн
382+33.23 грн
500+26.68 грн
Мінімальне замовлення: 308
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3 SI7615ADN-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0001142019-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7615ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 4400 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 3299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+44.72 грн
500+32.10 грн
1500+24.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3 SI7615ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7615adn.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 2964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
262+48.49 грн
500+45.65 грн
Мінімальне замовлення: 262
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3 SI7615ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7615adn.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+49.34 грн
17+44.51 грн
100+36.28 грн
250+34.63 грн
500+26.69 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3 SI7615ADN-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7615adn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -35A; Idm: -80A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -35A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 183nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+55.67 грн
11+41.44 грн
50+32.35 грн
100+28.85 грн
500+27.10 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3
Код товару: 144688
Додати до обраних Обраний товар

si7615adn.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3 SI7615ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si7615adn.pdf MOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 18642 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+61.82 грн
10+51.73 грн
100+31.94 грн
500+24.81 грн
1000+22.17 грн
3000+19.45 грн
6000+17.93 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3 SI7615ADN-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0001142019-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7615ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 4400 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 3299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+64.65 грн
50+55.40 грн
100+44.72 грн
500+32.10 грн
1500+24.09 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3 SI7615ADN-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7615adn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -35A; Idm: -80A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -35A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 183nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2964 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.80 грн
10+51.64 грн
50+38.82 грн
100+34.62 грн
500+32.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3 SI7615ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7615adn.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5590 pF @ 10 V
на замовлення 6543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+83.12 грн
10+50.03 грн
100+32.79 грн
500+23.84 грн
1000+21.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7615adn.pdf Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 6mOhm; 22,1A; 52W; -55°C~150°C; SI7615ADN-T1-GE3 VISHAY TSI7615adn
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+26.84 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3 Виробник : Siliconix si7615adn.pdf Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 6mOhm; 22,1A; 52W; -55°C~150°C; SI7615ADN-T1-GE3 VISHAY TSI7615adn
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+57.93 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3 Виробник : Siliconix si7615adn.pdf Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 6mOhm; 22,1A; 52W; -55°C~150°C; SI7615ADN-T1-GE3 VISHAY TSI7615adn
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+57.93 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.