на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19+ | 18.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7615ADN-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI7615ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 4400 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SI7615ADN-T1-GE3 за ціною від 15.17 грн до 72.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI7615ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SI7615ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5590 pF @ 10 V |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SI7615ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
на замовлення 1300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SI7615ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SI7615ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SI7615ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
на замовлення 1300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SI7615ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
на замовлення 6020 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SI7615ADN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7615ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 4400 µohm, PowerPAK 1212, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 6309 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SI7615ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
на замовлення 1771 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SI7615ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5590 pF @ 10 V |
на замовлення 24393 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SI7615ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8 |
на замовлення 32774 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SI7615ADN-T1-GE3 Код товару: 144688
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові P-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
|
SI7615ADN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7615ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 4400 µohm, PowerPAK 1212, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 6309 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SI7615ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 6mOhm; 22,1A; 52W; -55°C~150°C; SI7615ADN-T1-GE3 VISHAY TSI7615adnкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| SI7615ADN-T1-GE3 | Виробник : Siliconix |
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 6mOhm; 22,1A; 52W; -55°C~150°C; SI7615ADN-T1-GE3 VISHAY TSI7615adnкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| SI7615ADN-T1-GE3 | Виробник : Siliconix |
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 6mOhm; 22,1A; 52W; -55°C~150°C; SI7615ADN-T1-GE3 VISHAY TSI7615adnкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 9 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| SI7615ADN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SI7615ADN-T1-GE3 SMD P channel transistors |
на замовлення 2984 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|




