Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > SI7615ADN-T1-GE3

SI7615ADN-T1-GE3

si7615adn.pdf
Код товару: 144688
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SI7615ADN-T1-GE3 за ціною від 21.17 грн до 105.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI7615ADN-T1-GE3 SI7615ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7615adn.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5590 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.78 грн
9000+21.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3 SI7615ADN-T1-GE3 Vishay si7615adn.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 18745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+58.60 грн
292+50.30 грн
336+43.63 грн
500+33.74 грн
3000+27.06 грн
9000+23.99 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3 SI7615ADN-T1-GE3 VISHAY si7615adn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -35A; Idm: -80A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -35A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 183nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1584 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+59.43 грн
10+43.98 грн
50+36.17 грн
100+32.18 грн
500+27.59 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3 SI7615ADN-T1-GE3 Vishay si7615adn.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 1584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
227+64.57 грн
264+55.60 грн
500+43.42 грн
Мінімальне замовлення: 227 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3 SI7615ADN-T1-GE3 Vishay si7615adn.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 18758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+75.65 грн
14+58.41 грн
50+50.14 грн
100+41.94 грн
500+31.14 грн
3000+25.91 грн
9000+23.91 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3 SI7615ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7615adn.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5590 pF @ 10 V
на замовлення 11670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.05 грн
10+55.63 грн
50+41.29 грн
100+34.39 грн
500+26.73 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3 SI7615ADN-T1-GE3 Vishay si7615adn.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+94.45 грн
12+66.88 грн
50+58.12 грн
100+47.12 грн
500+33.65 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3 SI7615ADN-T1-GE3 Vishay si7615adn.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
156+94.45 грн
220+66.88 грн
253+58.12 грн
300+47.12 грн
500+33.65 грн
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3 SI7615ADN-T1-GE3 Vishay Semiconductors si7615adn.pdf MOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 16265 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+105.33 грн
10+48.11 грн
100+37.09 грн
500+28.89 грн
1000+26.11 грн
3000+22.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3 SI7615ADN-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0001142019-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7615ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 4400 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
на замовлення 8478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3 SI7615ADN-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0001142019-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7615ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 4400 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
на замовлення 8478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3 si7615adn.pdf
SI7615ADN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5590 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+24.78 грн
9000+21.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3 si7615adn.pdf
SI7615ADN-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 18745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
250+58.60 грн
292+50.30 грн
336+43.63 грн
500+33.74 грн
3000+27.06 грн
9000+23.99 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3 si7615adn.pdf
SI7615ADN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -35A; Idm: -80A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -35A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 183nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1584 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+59.43 грн
10+43.98 грн
50+36.17 грн
100+32.18 грн
500+27.59 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3 si7615adn.pdf
SI7615ADN-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 1584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
227+64.57 грн
264+55.60 грн
500+43.42 грн
Мінімальне замовлення: 227 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3 si7615adn.pdf
SI7615ADN-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 18758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+75.65 грн
14+58.41 грн
50+50.14 грн
100+41.94 грн
500+31.14 грн
3000+25.91 грн
9000+23.91 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3 si7615adn.pdf
SI7615ADN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5590 pF @ 10 V
на замовлення 11670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+92.05 грн
10+55.63 грн
50+41.29 грн
100+34.39 грн
500+26.73 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3 si7615adn.pdf
SI7615ADN-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+94.45 грн
12+66.88 грн
50+58.12 грн
100+47.12 грн
500+33.65 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3 si7615adn.pdf
SI7615ADN-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
156+94.45 грн
220+66.88 грн
253+58.12 грн
300+47.12 грн
500+33.65 грн
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3 si7615adn.pdf
SI7615ADN-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 16265 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+105.33 грн
10+48.11 грн
100+37.09 грн
500+28.89 грн
1000+26.11 грн
3000+22.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3 VISH-S-A0001142019-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI7615ADN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7615ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 4400 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
на замовлення 8478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3 VISH-S-A0001142019-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI7615ADN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7615ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 4400 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
на замовлення 8478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

220 Ohm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-220R-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 38888
1 Додати до обраних Обраний товар
RC0603HIT.pdf
220 Ohm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-220R-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0603
Номінал: 220 Ом
Точність: ±1% F
Pном, Вт: 0,1 Вт
Uроб, В: 50 В
Типорозмір: 0603
у наявності: 2347 шт
  • 1678 шт - склад
  • 150 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 500 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 19 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 20000 шт
  • 20000 шт - очікується
на замовлення: 1200 шт
  • 1200 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
40+0.50 грн
160+0.13 грн
1000+0.10 грн
10000+0.06 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
10 Ohm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-10R-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 27263
Додати до обраних Обраний товар
RC0603HIT.pdf
10 Ohm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-10R-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0603
Номінал: 10 Ом
Точність: ±1% F
Pном, Вт: 0,1 Вт
Uроб, В: 50 В
Типорозмір: 0603
товару немає в наявності
очікується: 30000 шт
  • 30000 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
40+0.50 грн
160+0.13 грн
1000+0.10 грн
10000+0.06 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
100 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-100KR-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 27260
3 Додати до обраних Обраний товар
RC0603HIT.pdf
100 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-100KR-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0603
Номінал: 100 кОм
Точність: ±1% F
Pном, Вт: 0,1 Вт
Uроб, В: 50 В
Типорозмір: 0603
очікується: 40000 шт
  • 40000 шт - очікується
на замовлення: 4800 шт
  • 4800 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
40+0.50 грн
160+0.13 грн
1000+0.10 грн
10000+0.06 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
20 Ohm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-20R-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 17831
1 Додати до обраних Обраний товар
rc_series_20150401_1.pdf
20 Ohm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-20R-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 20 Ом
Точність: ±1% F
Потужність P, Вт: 0,25 Вт
Робоча напруга U, В: 200 В
Типорозмір: 1206
у наявності: 8470 шт
  • 8470 шт - склад
очікується: 1020 шт
  • 1020 шт - очікується
на замовлення: 1200 шт
  • 1200 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+0.45 грн
1000+0.36 грн
10000+0.22 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
15 Ohm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-15R-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 4081
1 Додати до обраних Обраний товар
15 Ohm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-15R-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 15 Ом
Точність: ±1% F
Потужність P, Вт: 0,25 Вт
Робоча напруга U, В: 200 В
Типорозмір: 1206
очікується: 10000 шт
  • 10000 шт - очікується
на замовлення: 1200 шт
  • 1200 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+0.45 грн
1000+0.36 грн
10000+0.22 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.