Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > SI7615ADN-T1-GE3

SI7615ADN-T1-GE3

si7615adn.pdf
Код товару: 144688
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SI7615ADN-T1-GE3 за ціною від 20.36 грн до 94.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI7615ADN-T1-GE3 SI7615ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7615adn.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5590 pF @ 10 V
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.83 грн
9000+20.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3 SI7615ADN-T1-GE3 Vishay si7615adn.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 18745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+56.46 грн
292+48.46 грн
336+42.03 грн
500+32.50 грн
3000+26.07 грн
9000+23.11 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3 SI7615ADN-T1-GE3 VISHAY si7615adn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -35A; Idm: -80A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -35A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 183nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1584 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+59.26 грн
10+43.85 грн
50+36.06 грн
100+32.08 грн
500+27.51 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3 SI7615ADN-T1-GE3 Vishay si7615adn.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 1584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
227+62.21 грн
264+53.57 грн
500+41.84 грн
Мінімальне замовлення: 227 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3 SI7615ADN-T1-GE3 Vishay si7615adn.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 18758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+72.88 грн
14+56.28 грн
50+48.31 грн
100+40.41 грн
500+30.00 грн
3000+24.96 грн
9000+23.04 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3 SI7615ADN-T1-GE3 Vishay si7615adn.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+90.99 грн
12+64.44 грн
50+56.00 грн
100+45.40 грн
500+32.42 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3 SI7615ADN-T1-GE3 Vishay si7615adn.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
156+90.99 грн
220+64.44 грн
253+56.00 грн
300+45.40 грн
500+32.42 грн
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3 SI7615ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7615adn.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5590 pF @ 10 V
на замовлення 94177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.15 грн
10+56.76 грн
50+42.10 грн
100+35.06 грн
500+27.24 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3 SI7615ADN-T1-GE3 Vishay Semiconductors si7615adn.pdf MOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 16265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3 SI7615ADN-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0001142019-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7615ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 4400 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
на замовлення 8478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3 SI7615ADN-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0001142019-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7615ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 4400 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
на замовлення 8478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3 Vishay si7615adn.pdf Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 6mOhm; 22,1A; 52W; -55°C~150°C; SI7615ADN-T1-GE3 VISHAY TSI7615adn
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+27.35 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3 Siliconix si7615adn.pdf Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 6mOhm; 22,1A; 52W; -55°C~150°C; SI7615ADN-T1-GE3 VISHAY TSI7615adn
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+60.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3 Siliconix si7615adn.pdf Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 6mOhm; 22,1A; 52W; -55°C~150°C; SI7615ADN-T1-GE3 VISHAY TSI7615adn
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+60.21 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3 si7615adn.pdf
SI7615ADN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5590 pF @ 10 V
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+23.83 грн
9000+20.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3 si7615adn.pdf
SI7615ADN-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 18745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
250+56.46 грн
292+48.46 грн
336+42.03 грн
500+32.50 грн
3000+26.07 грн
9000+23.11 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3 si7615adn.pdf
SI7615ADN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -35A; Idm: -80A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -35A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 183nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1584 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+59.26 грн
10+43.85 грн
50+36.06 грн
100+32.08 грн
500+27.51 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3 si7615adn.pdf
SI7615ADN-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 1584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
227+62.21 грн
264+53.57 грн
500+41.84 грн
Мінімальне замовлення: 227 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3 si7615adn.pdf
SI7615ADN-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 18758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+72.88 грн
14+56.28 грн
50+48.31 грн
100+40.41 грн
500+30.00 грн
3000+24.96 грн
9000+23.04 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3 si7615adn.pdf
SI7615ADN-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+90.99 грн
12+64.44 грн
50+56.00 грн
100+45.40 грн
500+32.42 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3 si7615adn.pdf
SI7615ADN-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
156+90.99 грн
220+64.44 грн
253+56.00 грн
300+45.40 грн
500+32.42 грн
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3 si7615adn.pdf
SI7615ADN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5590 pF @ 10 V
на замовлення 94177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+94.15 грн
10+56.76 грн
50+42.10 грн
100+35.06 грн
500+27.24 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3 si7615adn.pdf
SI7615ADN-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 16265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3 VISH-S-A0001142019-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI7615ADN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7615ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 4400 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
на замовлення 8478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3 VISH-S-A0001142019-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI7615ADN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7615ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 4400 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
на замовлення 8478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3 si7615adn.pdf
Виробник: Vishay
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 6mOhm; 22,1A; 52W; -55°C~150°C; SI7615ADN-T1-GE3 VISHAY TSI7615adn
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+27.35 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3 si7615adn.pdf
Виробник: Siliconix
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 6mOhm; 22,1A; 52W; -55°C~150°C; SI7615ADN-T1-GE3 VISHAY TSI7615adn
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+60.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3 si7615adn.pdf
Виробник: Siliconix
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 6mOhm; 22,1A; 52W; -55°C~150°C; SI7615ADN-T1-GE3 VISHAY TSI7615adn
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+60.21 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

220 Ohm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-220R-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 38888
Додати до обраних Обраний товар
RC0603HIT.pdf
220 Ohm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-220R-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0603
Номінал: 220 Ом
Точність: ±1% F
Pном, Вт: 0,1 Вт
Uроб, В: 50 В
Типорозмір: 0603
у наявності: 4027 шт
  • 3808 шт - склад
  • 200 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 19 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 20000 шт
  • 20000 шт - очікується
на замовлення: 1200 шт
  • 1200 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
200+0.10 грн
1000+0.08 грн
10000+0.04 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
10 Ohm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-10R-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 27263
Додати до обраних Обраний товар
RC0603HIT.pdf
10 Ohm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-10R-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0603
Номінал: 10 Ом
Точність: ±1% F
Pном, Вт: 0,1 Вт
Uроб, В: 50 В
Типорозмір: 0603
товару немає в наявності
очікується: 20000 шт
  • 20000 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
200+0.10 грн
1000+0.08 грн
10000+0.05 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
100 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-100KR-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 27260
2 Додати до обраних Обраний товар
RC0603HIT.pdf
100 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-100KR-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0603
Номінал: 100 кОм
Точність: ±1% F
Pном, Вт: 0,1 Вт
Uроб, В: 50 В
Типорозмір: 0603
очікується: 30000 шт
  • 30000 шт - очікується
на замовлення: 4800 шт
  • 4800 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
200+0.10 грн
1000+0.08 грн
10000+0.04 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
20 Ohm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-20R-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 17831
1 Додати до обраних Обраний товар
rc_series_20150401_1.pdf
20 Ohm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-20R-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 20 Ом
Точність: ±1% F
Потужність P, Вт: 0,25 Вт
Робоча напруга U, В: 200 В
Типорозмір: 1206
очікується: 10000 шт
  • 10000 шт - очікується 06.10.2026
на замовлення: 1200 шт
  • 1200 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+0.45 грн
1000+0.36 грн
10000+0.22 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
15 Ohm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-15R-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 4081
1 Додати до обраних Обраний товар
15 Ohm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-15R-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 15 Ом
Точність: ±1% F
Потужність P, Вт: 0,25 Вт
Робоча напруга U, В: 200 В
Типорозмір: 1206
у наявності: 386 шт
  • 150 шт - склад
  • 236 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 10000 шт
  • 10000 шт - очікується
на замовлення: 1200 шт
  • 1200 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+0.45 грн
1000+0.36 грн
10000+0.22 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.