Продукція > VISHAY > SI7615ADN-T1-GE3

SI7615ADN-T1-GE3 Vishay

Name: SI7615ADN-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: 40583084-5
Price: 72150.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	24.05 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SI7615ADN-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI7615ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 4400 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SI7615ADN-T1-GE3 за ціною від 15.37 грн до 81.03 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

SI7615ADN-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	25.77 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI7615ADN-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 871 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
475+	27.07 грн

Мінімальне замовлення: 475

В кошику од. на суму грн.

SI7615ADN-T1-GE3

Виробник : VISHAY

VISH-S-A0001142019-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: VISHAY - SI7615ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 4400 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 3299 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	39.86 грн
500+	28.61 грн
1500+	21.47 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SI7615ADN-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 853 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
308+	41.76 грн
378+	34.04 грн
382+	33.70 грн
500+	27.05 грн

Мінімальне замовлення: 308

В кошику од. на суму грн.

SI7615ADN-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 2964 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
262+	49.16 грн
500+	46.29 грн

Мінімальне замовлення: 262

В кошику од. на суму грн.

SI7615ADN-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 853 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
15+	50.02 грн
17+	45.13 грн
100+	36.78 грн
250+	35.11 грн
500+	27.06 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

SI7615ADN-T1-GE3

Виробник : Vishay Semiconductors

MOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 18642 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
7+	52.98 грн
10+	44.34 грн
100+	27.37 грн
500+	21.27 грн
1000+	19.00 грн
3000+	16.67 грн
6000+	15.37 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SI7615ADN-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Description: VISHAY - SI7615ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 4400 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 3299 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
14+	57.62 грн
50+	49.38 грн
100+	39.86 грн
500+	28.61 грн
1500+	21.47 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

SI7615ADN-T1-GE3

Виробник : Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5590 pF @ 10 V

на замовлення 1344 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	81.03 грн
10+	49.05 грн
100+	32.30 грн
500+	23.55 грн
1000+	21.38 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SI7615ADN-T1-GE3

Виробник : Vishay

Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 6mOhm; 22,1A; 52W; -55°C~150°C; SI7615ADN-T1-GE3 VISHAY TSI7615adn
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
30+	27.22 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

SI7615ADN-T1-GE3

Виробник : Siliconix

Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 6mOhm; 22,1A; 52W; -55°C~150°C; SI7615ADN-T1-GE3 VISHAY TSI7615adn
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 1 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
10+	58.73 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SI7615ADN-T1-GE3

Виробник : Siliconix

Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 6mOhm; 22,1A; 52W; -55°C~150°C; SI7615ADN-T1-GE3 VISHAY TSI7615adn
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 9 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
10+	58.73 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SI7615ADN-T1-GE3

Виробник : VISHAY

SI7615ADN-T1-GE3 SMD P channel transistors

на замовлення 2944 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

Кількість	Ціна
5+	76.19 грн
33+	35.47 грн
90+	33.49 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SI7615ADN-T1-GE3
Код товару: 144688

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI7615ADN-T1-GE3

Виробник : Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5590 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.