Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7615CDN-T1-GE3
SI7615CDN-T1-GE3

SI7615CDN-T1-GE3 Vishay Siliconix

si7615cdn.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3860 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7615CDN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 33W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3860 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SI7615CDN-T1-GE3 за ціною від 13.43 грн до 64.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7615CDN-T1-GE3 SI7615CDN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si7615cdn.pdf MOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 12599 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+50.54 грн
10+39.28 грн
100+23.37 грн
500+17.86 грн
1000+15.29 грн
3000+13.43 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615CDN-T1-GE3 SI7615CDN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7615cdn.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3860 pF @ 10 V
на замовлення 4763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+64.66 грн
10+38.49 грн
100+24.84 грн
500+17.81 грн
1000+16.03 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615CDN-T1-GE3 SI7615CDN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7615cdn.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615CDN-T1-GE3 SI7615CDN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7615cdn.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615CDN-T1-GE3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8B9858B1BE6C28143&compId=SI7615CDN.pdf?ci_sign=0e6f9ec350036d439d82481c33a69d1047f24306 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -35A; 21.1W
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain current: -35A
Drain-source voltage: -20V
Gate charge: 111nC
On-state resistance: 20.3mΩ
Gate-source voltage: ±8V
Power dissipation: 21.1W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.