Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7615CDN-T1-GE3
SI7615CDN-T1-GE3

SI7615CDN-T1-GE3 Vishay Siliconix

si7615cdn.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3860 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7615CDN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 33W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3860 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SI7615CDN-T1-GE3 за ціною від 12.55 грн до 60.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7615CDN-T1-GE3 SI7615CDN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si7615cdn.pdf MOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 12599 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+47.24 грн
10+36.72 грн
100+21.84 грн
500+16.69 грн
1000+14.30 грн
3000+12.55 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615CDN-T1-GE3 SI7615CDN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7615cdn.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3860 pF @ 10 V
на замовлення 4763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.44 грн
10+35.98 грн
100+23.22 грн
500+16.64 грн
1000+14.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615CDN-T1-GE3 SI7615CDN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7615cdn.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615CDN-T1-GE3 SI7615CDN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7615cdn.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615CDN-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7615cdn.pdf SI7615CDN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.