Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7615DN-T1-GE3
SI7615DN-T1-GE3

SI7615DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

si7615dn.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+43.21 грн
6000+ 39.63 грн
9000+ 37.8 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7615DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SI7615DN-T1-GE3 за ціною від 38.32 грн до 112.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI7615DN-T1-GE3 SI7615DN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7615dn.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 2219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
148+79.37 грн
157+ 74.79 грн
180+ 65.04 грн
200+ 59.85 грн
500+ 55.24 грн
1000+ 48.68 грн
2000+ 46.21 грн
Мінімальне замовлення: 148
SI7615DN-T1-GE3 SI7615DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7615dn.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 10 V
на замовлення 17193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+104.72 грн
10+ 82.34 грн
100+ 64.01 грн
500+ 50.92 грн
1000+ 41.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
SI7615DN-T1-GE3 SI7615DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si7615dn.pdf MOSFET RECOMMENDED ALT SI7615ADN-T1-GE3
на замовлення 15891 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+112.94 грн
10+ 92.13 грн
100+ 61.89 грн
500+ 52.47 грн
1000+ 42.79 грн
3000+ 40.19 грн
6000+ 38.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
SI7615DN-T1-GE3 SI7615DN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7615dn.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
товар відсутній
SI7615DN-T1-GE3 SI7615DN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7615dn.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
товар відсутній