Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7615DN-T1-GE3
SI7615DN-T1-GE3

SI7615DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

si7615dn.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+45.85 грн
6000+42.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7615DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±12V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SI7615DN-T1-GE3 за ціною від 40.40 грн до 162.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7615DN-T1-GE3 SI7615DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7615dn.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+131.43 грн
10+96.51 грн
100+67.96 грн
500+54.05 грн
1000+46.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615DN-T1-GE3 SI7615DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si7615dn.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT SI76
на замовлення 7806 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+162.26 грн
10+103.16 грн
100+60.99 грн
500+48.33 грн
1000+44.37 грн
3000+42.49 грн
6000+40.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7615dn.pdf MOSFET P-CH 20V 35A Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.