Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7615DN-T1-GE3
SI7615DN-T1-GE3

SI7615DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

si7615dn.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+46.52 грн
6000+42.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7615DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SI7615DN-T1-GE3 за ціною від 42.64 грн до 137.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7615DN-T1-GE3 SI7615DN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7615dn.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 2219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
148+82.56 грн
157+77.80 грн
180+67.66 грн
200+62.25 грн
500+57.46 грн
1000+50.63 грн
2000+48.07 грн
Мінімальне замовлення: 148
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615DN-T1-GE3 SI7615DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7615dn.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 10 V
на замовлення 9158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+133.37 грн
10+97.93 грн
100+68.96 грн
500+54.84 грн
1000+47.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615DN-T1-GE3 SI7615DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si7615dn.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT SI76
на замовлення 13426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+137.85 грн
10+92.00 грн
100+61.57 грн
500+50.13 грн
1000+45.58 грн
3000+42.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615DN-T1-GE3 SI7615DN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7615dn.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615DN-T1-GE3 SI7615DN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7615dn.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.