Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7617DN-T1-GE3

SI7617DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Name: SI7617DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 2441735-3
Price: 21.26 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 13.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 15 V

на замовлення 195000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	21.26 грн

Мінімальне замовлення: 3000

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SI7617DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI7617DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0103 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm.

Інші пропозиції SI7617DN-T1-GE3 за ціною від 19.21 грн до 70.1 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

SI7617DN-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 30V 13.9A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	23.7 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SI7617DN-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 30V 13.9A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	25.44 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SI7617DN-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 30V 13.9A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	28.39 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SI7617DN-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 30V 13.9A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	29.36 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SI7617DN-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 30V 13.9A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 5470 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
324+	36.18 грн
337+	34.73 грн
500+	33.47 грн
1000+	31.22 грн
2500+	28.06 грн
5000+	26.21 грн

Мінімальне замовлення: 324

SI7617DN-T1-GE3

Виробник : VISHAY

VISH-S-A0000784872-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: VISHAY - SI7617DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0103 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm

на замовлення 40055 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
100+	37.67 грн
500+	29.69 грн
1000+	27.03 грн
5000+	26.58 грн

Мінімальне замовлення: 100

SI7617DN-T1-GE3

Виробник : Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 13.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 15 V

на замовлення 201913 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
8+	39.72 грн
10+	31.43 грн
100+	24.42 грн
500+	19.42 грн
1000+	19.21 грн

Мінімальне замовлення: 8

SI7617DN-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 30V 13.9A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	40.75 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SI7617DN-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 30V 13.9A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	41.34 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SI7617DN-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 30V 13.9A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 532 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
221+	53.11 грн

Мінімальне замовлення: 221

SI7617DN-T1-GE3

Виробник : Vishay Semiconductors

MOSFET -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 18713 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
6+	61.61 грн
10+	49.6 грн
100+	33.58 грн
500+	28.51 грн
1000+	26.04 грн

Мінімальне замовлення: 6

SI7617DN-T1-GE3

Виробник : VISHAY

на замовлення 40055 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
12+	67.7 грн
15+	52.87 грн
100+	37.67 грн
500+	29.69 грн
1000+	27.03 грн
5000+	26.58 грн

Мінімальне замовлення: 12

SI7617DN-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 30V 13.9A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SI7617DN-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -13.9A; Idm: -60A; 33W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -13.9A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 12.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 59nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
7+	58.42 грн
10+	43.81 грн
24+	33.94 грн
66+	32.13 грн

Мінімальне замовлення: 7

SI7617DN-T1-GE3

Виробник : VISHAY

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
4+	70.1 грн
10+	54.6 грн
24+	40.72 грн
66+	38.55 грн

Мінімальне замовлення: 4