Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7617DN-T1-GE3

SI7617DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Name: SI7617DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 2441735-3
Price: 78480.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 13.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 15 V

на замовлення 69000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	26.16 грн
6000+	23.37 грн
9000+	22.45 грн
15000+	20.09 грн
21000+	19.51 грн
30000+	19.43 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SI7617DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI7617DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0123 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 52W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm.

Інші пропозиції SI7617DN-T1-GE3 за ціною від 27.04 грн до 100.83 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

SI7617DN-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET P-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	29.71 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7617DN-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET P-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	29.71 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7617DN-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET P-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 5169 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

246+	57.27 грн

Мінімальне замовлення: 246 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7617DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 13.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 15 V

на замовлення 71026 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	100.83 грн
10+	61.08 грн
100+	40.50 грн
500+	29.71 грн
1000+	27.04 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7617DN-T1-GE3

VISHAY

Description: VISHAY - SI7617DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0123 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm

на замовлення 7250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI7617DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

MOSFETs -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 36243 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI7617DN-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET P-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI7617DN-T1-GE3

VISHAY

Description: VISHAY - SI7617DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0123 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm

на замовлення 7250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7617DN-T1-GE3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	29.71 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7617DN-T1-GE3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	29.71 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7617DN-T1-GE3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 5169 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
246+	57.27 грн

Мінімальне замовлення: 246 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7617DN-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 13.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 15 V

на замовлення 71026 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
4+	100.83 грн
10+	61.08 грн
100+	40.50 грн
500+	29.71 грн
1000+	27.04 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7617DN-T1-GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7617DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0123 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm

на замовлення 7250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI7617DN-T1-GE3

Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 36243 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI7617DN-T1-GE3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI7617DN-T1-GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7617DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0123 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm

на замовлення 7250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.