Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7617DN-T1-GE3
SI7617DN-T1-GE3

SI7617DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

si7617dn.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 13.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 15 V
на замовлення 159000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+22.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7617DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI7617DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0123 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SI7617DN-T1-GE3 за ціною від 23.49 грн до 74.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7617DN-T1-GE3 SI7617DN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7617dn.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+25.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7617DN-T1-GE3 SI7617DN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7617dn.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13.9A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+26.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7617DN-T1-GE3 SI7617DN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7617dn.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+27.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7617DN-T1-GE3 SI7617DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0000784872-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7617DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0123 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 35196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+40.45 грн
500+30.50 грн
1000+25.91 грн
5000+23.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI7617DN-T1-GE3 SI7617DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7617dn.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 13.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 15 V
на замовлення 161395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.79 грн
10+42.58 грн
100+34.67 грн
500+28.67 грн
1000+26.81 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI7617DN-T1-GE3 SI7617DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0000784872-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7617DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0123 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 35196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+49.74 грн
100+40.45 грн
500+30.50 грн
1000+25.91 грн
5000+23.67 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
SI7617DN-T1-GE3 SI7617DN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7617dn.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 5169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
246+49.74 грн
Мінімальне замовлення: 246
В кошику  од. на суму  грн.
SI7617DN-T1-GE3 SI7617DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si7617dn.pdf MOSFETs -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 20950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+49.80 грн
10+48.13 грн
100+34.10 грн
500+30.11 грн
1000+28.08 грн
3000+23.49 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI7617DN-T1-GE3 SI7617DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7617dn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -13.9A; Idm: -60A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -13.9A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 12.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 59nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+62.49 грн
10+46.89 грн
25+38.27 грн
67+36.15 грн
1000+35.68 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI7617DN-T1-GE3 SI7617DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7617dn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -13.9A; Idm: -60A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -13.9A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 12.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 59nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.99 грн
10+58.44 грн
25+45.92 грн
67+43.38 грн
1000+42.81 грн
3000+41.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI7617DN-T1-GE3 SI7617DN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7617dn.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.