SI7619DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 24A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 23.38 грн |
| 6000+ | 21.33 грн |
| 9000+ | 19.75 грн |
| 30000+ | 18.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7619DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI7619DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 24 A, 0.021 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 27.8W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SI7619DN-T1-GE3 за ціною від 17.04 грн до 62.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7619DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 10.6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI7619DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 10.6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7619DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 10.6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7619DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 10.6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
на замовлення 403 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI7619DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7619DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 24 A, 0.021 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 27.8W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 14909 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7619DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 10.6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
на замовлення 403 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7619DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7619DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 24 A, 0.021 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 27.8W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 14904 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7619DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 24A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V |
на замовлення 114267 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI7619DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 |
на замовлення 36117 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|