Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7619DN-T1-GE3
SI7619DN-T1-GE3

SI7619DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

si7619dn.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 24A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+21.80 грн
6000+19.42 грн
9000+18.62 грн
15000+16.63 грн
21000+16.13 грн
30000+15.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7619DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI7619DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 24 A, 0.021 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 27.8W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm.

Інші пропозиції SI7619DN-T1-GE3 за ціною від 22.52 грн до 86.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI7619DN-T1-GE3 SI7619DN-T1-GE3 Vishay si7619dn.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 10.6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7619DN-T1-GE3 SI7619DN-T1-GE3 Vishay si7619dn.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 10.6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7619DN-T1-GE3 SI7619DN-T1-GE3 Vishay si7619dn.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 10.6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
373+37.74 грн
374+37.66 грн
Мінімальне замовлення: 373 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7619DN-T1-GE3 SI7619DN-T1-GE3 Vishay si7619dn.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 10.6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+42.85 грн
19+40.26 грн
25+39.58 грн
100+32.51 грн
250+22.52 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7619DN-T1-GE3 SI7619DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7619dn.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 24A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
на замовлення 91591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.21 грн
10+51.96 грн
100+34.21 грн
500+24.94 грн
1000+22.63 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7619DN-T1-GE3 SI7619DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors si7619dn.pdf MOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 31475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7619DN-T1-GE3 SI7619DN-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0007770804-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7619DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 24 A, 0.021 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 27.8W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
на замовлення 12366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7619DN-T1-GE3 SI7619DN-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0007770804-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7619DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 24 A, 0.021 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7619DN-T1-GE3 si7619dn.pdf
SI7619DN-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 10.6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+26.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7619DN-T1-GE3 si7619dn.pdf
SI7619DN-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 10.6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+35.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7619DN-T1-GE3 si7619dn.pdf
SI7619DN-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 10.6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
373+37.74 грн
374+37.66 грн
Мінімальне замовлення: 373 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7619DN-T1-GE3 si7619dn.pdf
SI7619DN-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 10.6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+42.85 грн
19+40.26 грн
25+39.58 грн
100+32.51 грн
250+22.52 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7619DN-T1-GE3 si7619dn.pdf
SI7619DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 24A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
на замовлення 91591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+86.21 грн
10+51.96 грн
100+34.21 грн
500+24.94 грн
1000+22.63 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7619DN-T1-GE3 si7619dn.pdf
SI7619DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 31475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7619DN-T1-GE3 VISH-S-A0007770804-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI7619DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7619DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 24 A, 0.021 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 27.8W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
на замовлення 12366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7619DN-T1-GE3 VISH-S-A0007770804-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI7619DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7619DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 24 A, 0.021 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.