| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 93.82 грн |
| 10+ | 85.95 грн |
| 25+ | 85.09 грн |
| 50+ | 81.23 грн |
| 100+ | 67.65 грн |
| 250+ | 64.55 грн |
| 500+ | 58.36 грн |
| 1000+ | 53.92 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
9 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7623DN-T1-GE3 Vishay
Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5460 pF @ 10 V.
Інші пропозиції SI7623DN-T1-GE3 за ціною від 44.09 грн до 163.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7623DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
 MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8 |
на замовлення 2234 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7623DN-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
на замовлення 2286 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI7623DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5460 pF @ 10 V |
на замовлення 1605 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| SI7623DN-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 2234 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 115.86 грн |
| 10+ | 96.04 грн |
| 100+ | 66.51 грн |
| 500+ | 57.18 грн |
| 1000+ | 47.70 грн |
| 3000+ | 46.27 грн |
| 6000+ | 44.09 грн |
| SI7623DN-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 2286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 126+ | 116.74 грн |
| 127+ | 115.58 грн |
| 129+ | 114.42 грн |
| 159+ | 89.20 грн |
| 250+ | 81.74 грн |
| 500+ | 66.60 грн |
| 1000+ | 53.92 грн |
| SI7623DN-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5460 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5460 pF @ 10 V
на замовлення 1605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 163.46 грн |
| 10+ | 100.86 грн |
| 50+ | 76.41 грн |
| 100+ | 64.29 грн |
| 500+ | 51.28 грн |