Продукція > VISHAY > SI7623DN-T1-GE3
SI7623DN-T1-GE3

SI7623DN-T1-GE3 Vishay

si7623dn.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 2286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+84.94 грн
10+77.82 грн
25+77.04 грн
50+73.55 грн
100+61.25 грн
250+58.44 грн
500+52.83 грн
1000+48.82 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7623DN-T1-GE3 Vishay

Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5460 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SI7623DN-T1-GE3 за ціною від 44.75 грн до 122.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7623DN-T1-GE3 SI7623DN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7623dn.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 2286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
126+98.65 грн
127+97.67 грн
129+96.68 грн
159+75.38 грн
250+69.07 грн
500+56.28 грн
1000+45.56 грн
Мінімальне замовлення: 126
В кошику  од. на суму  грн.
SI7623DN-T1-GE3 SI7623DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si7623dn.pdf MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 2234 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+117.61 грн
10+97.48 грн
100+67.51 грн
500+58.04 грн
1000+48.42 грн
3000+46.97 грн
6000+44.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI7623DN-T1-GE3 SI7623DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7623dn.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5460 pF @ 10 V
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+122.26 грн
10+96.18 грн
100+74.78 грн
500+59.49 грн
1000+48.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7623DN-T1-GE3 SI7623DN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7623dn.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7623DN-T1-GE3 SI7623DN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7623dn.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7623DN-T1-GE3 SI7623DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7623dn.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5460 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.