Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7629DN-T1-GE3
SI7629DN-T1-GE3

SI7629DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

si7629dn.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5790 pF @ 10 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+32.34 грн
6000+29.66 грн
9000+28.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7629DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5790 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SI7629DN-T1-GE3 за ціною від 28.40 грн до 85.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7629DN-T1-GE3 SI7629DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7629dn.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5790 pF @ 10 V
на замовлення 24057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.60 грн
10+61.62 грн
100+47.91 грн
500+38.11 грн
1000+31.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI7629DN-T1-GE3 SI7629DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si7629dn.pdf MOSFET 20V 35A 52W
на замовлення 30944 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+85.19 грн
10+68.45 грн
100+46.31 грн
500+39.26 грн
1000+31.93 грн
3000+28.40 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI7629DN-T1-GE3 SI7629DN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7629dn.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7629DN-T1-GE3 SI7629DN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7629dn.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7629DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7629dn.pdf SI7629DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.