SI7633DP-T1-GE3 Vishay Siliconix


si7633dp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+52.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7633DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: PowerPAK® SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SI7633DP-T1-GE3 за ціною від 50.40 грн до 180.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI7633DP-T1-GE3 SI7633DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors si7633dp.pdf MOSFETs -20V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 3633 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.91 грн
10+57.95 грн
3000+50.40 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7633DP-T1-GE3 SI7633DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7633dp.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+180.79 грн
10+112.09 грн
100+76.49 грн
500+57.48 грн
1000+52.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7633DP-T1-GE3 si7633dp.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -20V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 3633 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
6+62.91 грн
10+57.95 грн
3000+50.40 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7633DP-T1-GE3 si7633dp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+180.79 грн
10+112.09 грн
100+76.49 грн
500+57.48 грн
1000+52.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.