SI7636DP-T1-E3 Vishay
Виробник: VishaySI7636DP-T1-E3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 30V 17A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Arrow.com
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 99.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7636DP-T1-E3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 30V 17A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V.
Інші пропозиції SI7636DP-T1-E3 за ціною від 65.7 грн до 148.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI7636DP-T1-E3 | Виробник : Vishay |
SI7636DP-T1-E3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 30V 17A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Arrow.com |
на замовлення 1950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI7636DP-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 30V 28A 0.004Ohm |
на замовлення 2960 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SI7636DP-T1-E3 | Виробник : SILICONIX |
09+ |
на замовлення 698 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| SI7636DP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
|
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| SI7636DP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
09+ |
на замовлення 518 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
 |
SI7636DP-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| SI7636DP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 28A; Idm: 60A; 5.2W Power dissipation: 5.2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 50nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 60A Mounting: SMD Case: PowerPAK® SO8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 28A On-state resistance: 4.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
 |
SI7636DP-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 17A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
SI7636DP-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 17A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| SI7636DP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 28A; Idm: 60A; 5.2W Power dissipation: 5.2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 50nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 60A Mounting: SMD Case: PowerPAK® SO8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 28A On-state resistance: 4.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |