SI7655ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 40A PPAK1212-8S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 10 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 27.24 грн |
| 6000+ | 24.35 грн |
| 9000+ | 23.40 грн |
| 15000+ | 21.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7655ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI7655ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 40 A, 3000 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 57W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SI7655ADN-T1-GE3 за ціною від 23.21 грн до 435.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI7655ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 40A PPAK1212-8S Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8S Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 10 V |
на замовлення 15814 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI7655ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8S |
на замовлення 42078 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI7655ADN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7655ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 40 A, 3000 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 6086 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI7655ADN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -40A; Idm: -100A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -40A Pulsed drain current: -100A Power dissipation: 36W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 3.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 225nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI7655ADN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -40A; Idm: -100A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -40A Pulsed drain current: -100A Power dissipation: 36W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 3.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 225nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI7655ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 40A 8-Pin PowerPAK EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
SI7655ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 40A 8-Pin PowerPAK EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SI7655ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 40A 8-Pin PowerPAK EP T/R |
товару немає в наявності |