Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7655ADN-T1-GE3
SI7655ADN-T1-GE3

SI7655ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix

si7655adn.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 40A PPAK1212-8S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 10 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+24.8 грн
6000+ 22.74 грн
9000+ 21.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7655ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 40A PPAK1212-8S, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8S, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SI7655ADN-T1-GE3 за ціною від 22.03 грн до 72.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI7655ADN-T1-GE3 SI7655ADN-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7655adn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -40A; Idm: -100A; 36W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -40A
Pulsed drain current: -100A
Power dissipation: 36W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 225nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+49.43 грн
9+ 39.64 грн
25+ 35.05 грн
27+ 30.6 грн
73+ 28.93 грн
3000+ 28.44 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI7655ADN-T1-GE3 SI7655ADN-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7655adn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -40A; Idm: -100A; 36W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -40A
Pulsed drain current: -100A
Power dissipation: 36W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 225nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+59.31 грн
6+ 49.4 грн
25+ 42.06 грн
27+ 36.72 грн
73+ 34.72 грн
3000+ 34.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
SI7655ADN-T1-GE3 SI7655ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7655adn.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 40A PPAK1212-8S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 10 V
на замовлення 25862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+59.94 грн
10+ 47.22 грн
100+ 36.74 грн
500+ 29.22 грн
1000+ 23.8 грн
Мінімальне замовлення: 5
SI7655ADN-T1-GE3 SI7655ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si7655adn.pdf MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8S
на замовлення 61282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+64.49 грн
10+ 51.75 грн
100+ 35.05 грн
500+ 29.71 грн
1000+ 24.23 грн
3000+ 22.5 грн
6000+ 22.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
SI7655ADN-T1-GE3 SI7655ADN-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISHS100161-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7655ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 40 A, 0.003 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
на замовлення 1339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+72.27 грн
14+ 56.17 грн
100+ 40.14 грн
500+ 31.57 грн
1000+ 22.66 грн
Мінімальне замовлення: 11
SI7655ADN-T1-GE3 SI7655ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7655adn.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 40A 8-Pin PowerPAK EP T/R
товар відсутній
SI7655ADN-T1-GE3 SI7655ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7655adn.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 40A 8-Pin PowerPAK EP T/R
товар відсутній
SI7655ADN-T1-GE3 SI7655ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7655adn.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 40A 8-Pin PowerPAK EP T/R
товар відсутній