Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7655DN-T1-GE3
SI7655DN-T1-GE3

SI7655DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

si7655dn.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 40A PPAK1212-8S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+45.86 грн
6000+43.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7655DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 40A PPAK1212-8S, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8S, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SI7655DN-T1-GE3 за ціною від 45.97 грн до 165.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7655DN-T1-GE3 SI7655DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7655dn.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 40A PPAK1212-8S
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 16990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+160.38 грн
10+98.99 грн
100+67.46 грн
500+50.67 грн
1000+49.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7655DN-T1-GE3 SI7655DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si7655dn.pdf MOSFETs -20V 3.6mOhm@10V 40A P-Ch G-III
на замовлення 7958 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+165.51 грн
10+105.56 грн
100+62.17 грн
500+49.65 грн
1000+48.47 грн
3000+45.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7655DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7655dn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -40A; Idm: -100A
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -100A
Drain current: -40A
Drain-source voltage: -20V
Gate charge: 225nC
On-state resistance: 8.5mΩ
Gate-source voltage: ±12V
Power dissipation: 57W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.