SI7655DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 40A PPAK1212-8S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 47.65 грн |
| 6000+ | 44.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7655DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 40A PPAK1212-8S, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8S, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 10 V.
Інші пропозиції SI7655DN-T1-GE3 за ціною від 45.17 грн до 159.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI7655DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 40A PPAK1212-8S Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8S Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 10 V |
на замовлення 17490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI7655DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -20V 3.6mOhm@10V 40A P-Ch G-III |
на замовлення 8098 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI7655DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
SI7655DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
SI7655DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| SI7655DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -40A; Idm: -100A Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -100A Drain current: -40A Drain-source voltage: -20V Gate charge: 225nC On-state resistance: 8.5mΩ Gate-source voltage: ±12V Power dissipation: 57W кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| SI7655DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -40A; Idm: -100A Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -100A Drain current: -40A Drain-source voltage: -20V Gate charge: 225nC On-state resistance: 8.5mΩ Gate-source voltage: ±12V Power dissipation: 57W |
товару немає в наявності |