Продукція > VISHAY > SI7658ADP-T1-GE3
SI7658ADP-T1-GE3

SI7658ADP-T1-GE3 Vishay


si7658adp.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 36A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+53.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7658ADP-T1-GE3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4590 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SI7658ADP-T1-GE3 за ціною від 70.81 грн до 288.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7658ADP-T1-GE3 SI7658ADP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7658adp.pdf SI7658ADP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 30V 36A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R - Arrow.com
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+70.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7658ADP-T1-GE3 SI7658ADP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7658adp.pdf SI7658ADP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 30V 36A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R - Arrow.com
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+87.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7658ADP-T1-GE3 SI7658ADP-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si7658adp.pdf MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 4944 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+224.02 грн
10+185.28 грн
25+152.29 грн
100+122.86 грн
500+101.52 грн
1000+93.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7658ADP-T1-GE3 SI7658ADP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7658adp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4590 pF @ 15 V
на замовлення 1941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+288.88 грн
10+182.62 грн
100+128.19 грн
500+98.50 грн
1000+91.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7658ADP-T1-GE3 SI7658ADP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7658adp.pdf SI7658ADP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 30V 36A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R - Arrow.com
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7658ADP-T1-GE3 si7658adp.pdf
на замовлення 2030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7658ADP-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7658adp.pdf SI7658ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7658ADP-T1-GE3 SI7658ADP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7658adp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4590 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.