Продукція > VISHAY > SI7686DP-T1-E3
SI7686DP-T1-E3

SI7686DP-T1-E3 Vishay

si7686dp.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 17.9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+66.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7686DP-T1-E3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 37.9W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SI7686DP-T1-E3 за ціною від 43.03 грн до 128.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7686DP-T1-E3 SI7686DP-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si7686dp.pdf MOSFETs 30V 35A 37.9W 9.5mohm @ 10V
на замовлення 4168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.68 грн
10+104.31 грн
100+70.17 грн
500+59.43 грн
1000+48.47 грн
3000+43.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7686DP-T1-E3 Виробник : SILIC si7686dp.pdf
на замовлення 350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7686DP-T1-E3 Виробник : SILICONIX si7686dp.pdf 09+
на замовлення 658 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7686DP-T1-E3 Виробник : VISHAY si7686dp.pdf 0838+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7686DP-T1-E3 Виробник : VISHAY si7686dp.pdf 09+
на замовлення 518 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7686DP-T1-E3 Виробник : VISHAY si7686dp.pdf 09+ QFN-8
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7686DP-T1-E3 Виробник : VISHAY si7686dp.pdf 11+ QFN
на замовлення 58621 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7686DP-T1-E3 Виробник : VISHAY si7686dp.pdf QFN-8 09+
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7686DP-T1-E3 SI7686DP-T1-E3 Виробник : Vishay 73451.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17.9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7686DP-T1-E3 SI7686DP-T1-E3 Виробник : Vishay si7686dp.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17.9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7686DP-T1-E3 Виробник : VISHAY si7686dp.pdf SI7686DP-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7686DP-T1-E3 SI7686DP-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si7686dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 37.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7686DP-T1-E3 SI7686DP-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si7686dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 37.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.