на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 63.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7686DP-T1-E3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 37.9W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 15 V.
Інші пропозиції SI7686DP-T1-E3 за ціною від 31.2 грн до 85.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7686DP-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13.8A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 37.9W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 15 V |
на замовлення 2984 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI7686DP-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 30V 35A 37.9W 9.5mohm @ 10V |
на замовлення 4268 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SI7686DP-T1-E3 | Виробник : SILIC |
|
на замовлення 350 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| SI7686DP-T1-E3 | Виробник : SILICONIX |
09+ |
на замовлення 658 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| SI7686DP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
0838+ |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| SI7686DP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
09+ |
на замовлення 518 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| SI7686DP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
09+ QFN-8 |
на замовлення 2800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| SI7686DP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
11+ QFN |
на замовлення 58621 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| SI7686DP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
QFN-8 09+ |
на замовлення 2800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
 |
SI7686DP-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 17.9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
SI7686DP-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 17.9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
| SI7686DP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 35A; Idm: 50A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 35A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 37.9W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: SMD Gate charge: 26nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
|
|
SI7686DP-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13.8A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 37.9W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 15 V |
товар відсутній |
|||||||||||||
| SI7686DP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 35A; Idm: 50A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 35A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 37.9W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: SMD Gate charge: 26nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |