SI7716ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 846 pF @ 15 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7716ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI7716ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0135 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 27.7W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SI7716ADN-T1-GE3 за ціною від 35.43 грн до 127.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7716ADN-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SI7716ADN-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 846 pF @ 15 V |
на замовлення 7458 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SI7716ADN-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
на замовлення 2969 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SI7716ADN-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 |
на замовлення 2457 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
SI7716ADN-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI7716ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0135 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 27.7W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 6464 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
SI7716ADN-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI7716ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0105 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 27.7W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 6964 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI7716ADN-T1-GE3 | VISHAY |
0952NO |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI7716ADN-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 84.43 грн |
| 12000+ | 77.16 грн |
| 18000+ | 71.78 грн |
| 24000+ | 65.28 грн |
| SI7716ADN-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 846 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 846 pF @ 15 V
на замовлення 7458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 127.48 грн |
| 10+ | 77.87 грн |
| 100+ | 52.28 грн |
| 500+ | 38.75 грн |
| 1000+ | 35.43 грн |
| SI7716ADN-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 111+ | 127.95 грн |
| 146+ | 96.90 грн |
| 200+ | 89.94 грн |
| 500+ | 62.87 грн |
| SI7716ADN-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 2457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SI7716ADN-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7716ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0135 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SI7716ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0135 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI7716ADN-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7716ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0105 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SI7716ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0105 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 6964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI7716ADN-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
0952NO
0952NO
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)