Продукція > VISHAY > SI7716ADN-T1-GE3
SI7716ADN-T1-GE3

SI7716ADN-T1-GE3 Vishay


si7716adn.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+22.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7716ADN-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI7716ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0105 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 27.7W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI7716ADN-T1-GE3 за ціною від 35.56 грн до 127.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7716ADN-T1-GE3 SI7716ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix SI7716ADN.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 846 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+37.74 грн
6000+35.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7716ADN-T1-GE3 SI7716ADN-T1-GE3 Виробник : VISHAY SI7716ADN.pdf Description: VISHAY - SI7716ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0105 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 6964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+69.04 грн
500+54.29 грн
1000+40.77 грн
5000+38.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI7716ADN-T1-GE3 SI7716ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7716adn.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+72.82 грн
12000+66.55 грн
18000+61.91 грн
24000+56.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7716ADN-T1-GE3 SI7716ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7716adn.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
111+110.36 грн
146+83.58 грн
200+77.57 грн
500+54.22 грн
Мінімальне замовлення: 111
В кошику  од. на суму  грн.
SI7716ADN-T1-GE3 SI7716ADN-T1-GE3 Виробник : VISHAY SI7716ADN.pdf Description: VISHAY - SI7716ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0105 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+116.77 грн
10+87.79 грн
100+69.04 грн
500+54.29 грн
1000+40.77 грн
5000+38.43 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI7716ADN-T1-GE3 SI7716ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors SI7716ADN.pdf MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 2031 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+118.78 грн
10+89.13 грн
100+52.96 грн
500+40.80 грн
1000+37.31 грн
3000+35.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7716ADN-T1-GE3 SI7716ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix SI7716ADN.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 846 pF @ 15 V
на замовлення 14671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.40 грн
10+85.08 грн
100+57.11 грн
500+42.33 грн
1000+38.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7716ADN-T1-GE3 Виробник : VISHAY SI7716ADN.pdf 0952NO
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7716ADN-T1-GE3 Виробник : VISHAY SI7716ADN.pdf 09+ QFN-8
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7716ADN-T1-GE3 Виробник : VISHAY SI7716ADN.pdf QFN
на замовлення 2047 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7716ADN-T1-GE3 Виробник : VISHAY SI7716ADN.pdf QFN-8 09+
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7716ADN-T1-GE3 SI7716ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7716adn.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7716ADN-T1-GE3 SI7716ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7716adn.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7716ADN-T1-GE3 Виробник : VISHAY SI7716ADN.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 16A; Idm: 32A
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 23nC
On-state resistance: 16.5mΩ
Drain current: 16A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 27.7W
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 32A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7716ADN-T1-GE3 Виробник : VISHAY SI7716ADN.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 16A; Idm: 32A
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 23nC
On-state resistance: 16.5mΩ
Drain current: 16A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 27.7W
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 32A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.