Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7738DP-T1-E3
SI7738DP-T1-E3

SI7738DP-T1-E3 Vishay Siliconix

si7738dp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 7.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 75 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+94.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7738DP-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 7.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 96W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 75 V.

Інші пропозиції SI7738DP-T1-E3 за ціною від 99.22 грн до 309.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7738DP-T1-E3 SI7738DP-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si7738dp.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 7.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 75 V
на замовлення 4989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+294.27 грн
10+186.71 грн
100+131.58 грн
500+104.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7738DP-T1-E3 SI7738DP-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si7738dp.pdf MOSFETs 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 2216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+309.22 грн
10+201.07 грн
100+122.81 грн
500+104.77 грн
3000+99.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7738DP-T1-E3 si7738dp.pdf
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7738DP-T1-E3 SI7738DP-T1-E3 Виробник : Vishay si7738dp.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 30A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7738DP-T1-E3 SI7738DP-T1-E3 Виробник : VISHAY si7738dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 26A; Idm: 60A; 62W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 62W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.