Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7738DP-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI7738DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 30 A, 0.038 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5.4W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції SI7738DP-T1-GE3 за ціною від 68.97 грн до 303.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI7738DP-T1-GE3 | Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 150V 30A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI7738DP-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI7738DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 30 A, 0.038 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 5.4W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3183 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7738DP-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 30A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 2300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7738DP-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 30A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 2300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI7738DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 1098 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI7738DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 7.7A, 10V Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 75 V |
на замовлення 2270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7738DP-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI7738DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 30 A, 0.038 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 5.4W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3183 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| SI7738DP-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 150V 30A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 30A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 68.97 грн |
| SI7738DP-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7738DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 30 A, 0.038 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.4W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: VISHAY - SI7738DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 30 A, 0.038 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.4W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 149.90 грн |
| 500+ | 125.57 грн |
| 1000+ | 114.52 грн |
| SI7738DP-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 150V 30A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 30A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 178.13 грн |
| 10+ | 161.12 грн |
| 25+ | 160.18 грн |
| 100+ | 151.27 грн |
| 250+ | 137.11 грн |
| 500+ | 128.79 грн |
| 1000+ | 125.96 грн |
| SI7738DP-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 150V 30A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 30A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 80+ | 178.13 грн |
| 88+ | 161.12 грн |
| 89+ | 160.18 грн |
| 100+ | 151.27 грн |
| 250+ | 137.11 грн |
| 500+ | 128.79 грн |
| 1000+ | 125.96 грн |
| SI7738DP-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
MOSFETs 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 1098 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 290.83 грн |
| 10+ | 192.72 грн |
| 100+ | 123.59 грн |
| 500+ | 105.44 грн |
| 1000+ | 103.34 грн |
| 3000+ | 99.16 грн |
| SI7738DP-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 7.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 75 V
Description: MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 7.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 75 V
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 296.16 грн |
| 10+ | 187.91 грн |
| 100+ | 132.42 грн |
| 500+ | 105.24 грн |
| SI7738DP-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7738DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 30 A, 0.038 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.4W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: VISHAY - SI7738DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 30 A, 0.038 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.4W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 303.87 грн |
| 10+ | 205.29 грн |
| 100+ | 149.90 грн |
| 500+ | 125.57 грн |
| 1000+ | 114.52 грн |