SI7738DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 7.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 75 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 103.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7738DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI7738DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 30 A, 0.031 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5.4W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SI7738DP-T1-GE3 за ціною від 86.09 грн до 248.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7738DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7738DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 30 A, 0.031 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 5.4W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 7603 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI7738DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 7.7A, 10V Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 75 V |
на замовлення 4827 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI7738DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 2829 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI7738DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7738DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 30 A, 0.031 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 5.4W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 7603 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI7738DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 30A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| SI7738DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SI7738DP-T1-GE3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |