SI7738DP-T1-GE3

SI7738DP-T1-GE3 Vishay Siliconix


si7738dp.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 7.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 75 V
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+103.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7738DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI7738DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 30 A, 0.031 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5.4W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI7738DP-T1-GE3 за ціною від 86.30 грн до 249.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7738DP-T1-GE3 SI7738DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7738dp.pdf Description: VISHAY - SI7738DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 30 A, 0.031 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.4W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 7603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+139.47 грн
500+100.39 грн
1000+86.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI7738DP-T1-GE3 SI7738DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7738dp.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 7.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 75 V
на замовлення 4827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+213.28 грн
10+172.58 грн
100+139.63 грн
500+116.48 грн
1000+99.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7738DP-T1-GE3 SI7738DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si7738dp.pdf MOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 2829 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+233.46 грн
10+194.59 грн
25+163.32 грн
100+136.84 грн
250+133.16 грн
500+122.12 грн
1000+103.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7738DP-T1-GE3 SI7738DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7738dp.pdf Description: VISHAY - SI7738DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 30 A, 0.031 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.4W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 7603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+249.24 грн
10+179.91 грн
100+139.47 грн
500+100.39 грн
1000+86.30 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI7738DP-T1-GE3 SI7738DP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7738dp.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 30A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7738DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7738dp.pdf SI7738DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.