SI7772DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 89.61 грн |
| 10+ | 55.25 грн |
| 100+ | 31.63 грн |
| 500+ | 24.58 грн |
| 1000+ | 22.28 грн |
| 3000+ | 20.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7772DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Description: MOSFET N-CH 30V 35.6A PPAK SO-8.
Інші пропозиції SI7772DP-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7772DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix |
 MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 2968 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
SI7772DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 35.6A PPAK SO-8 |
на замовлення 2261 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI7772DP-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 2968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SI7772DP-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 35.6A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 30V 35.6A PPAK SO-8
на замовлення 2261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)