SI7804DN-T1-E3

SI7804DN-T1-E3 Vishay Siliconix


72317.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK1212-8
на замовлення 2727 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7804DN-T1-E3 Vishay Siliconix

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 10A; Idm: 40A; 3.5W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 10A, Pulsed drain current: 40A, Power dissipation: 3.5W, Case: PowerPAK® 1212-8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 30mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 13nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 3000 шт.

Інші пропозиції SI7804DN-T1-E3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7804DN-T1-E3 Виробник : VISHAY 72317.pdf
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7804DN-T1-E3 Виробник : VISHAY 72317.pdf 09+
на замовлення 983 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7804DN-T1-E3 Виробник : VISHAY 72317.pdf 2006PB
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7804DN-T1-E3 Виробник : VISHAY 72317.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 10A; Idm: 40A; 3.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 3.5W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7804DN-T1-E3 SI7804DN-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix 72317.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7804DN-T1-E3 SI7804DN-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors 72317.pdf MOSFET RECOMMENDED ALT SIS412DN-T1-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7804DN-T1-E3 Виробник : VISHAY 72317.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 10A; Idm: 40A; 3.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 3.5W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.