Технічний опис SI7804DN-T1-E3 Vishay Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 10A; Idm: 40A; 3.5W, Case: PowerPAK® 1212-8, Kind of channel: enhancement, Mounting: SMD, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Gate charge: 13nC, On-state resistance: 30mΩ, Power dissipation: 3.5W, Drain current: 10A, Gate-source voltage: ±20V, Drain-source voltage: 30V, Pulsed drain current: 40A, Kind of package: reel; tape.
Інші пропозиції SI7804DN-T1-E3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| SI7804DN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
 |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
SI7804DN-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK1212-8 |
товару немає в наявності |
|
 |
SI7804DN-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET RECOMMENDED ALT SIS412DN-T1-GE3 |
товару немає в наявності |
|
| SI7804DN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 10A; Idm: 40A; 3.5W Case: PowerPAK® 1212-8 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Gate charge: 13nC On-state resistance: 30mΩ Power dissipation: 3.5W Drain current: 10A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Pulsed drain current: 40A Kind of package: reel; tape |
товару немає в наявності |