SI7804DN-T1-E3 Vishay Siliconix
на замовлення 2727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7804DN-T1-E3 Vishay Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 10A; Idm: 40A; 3.5W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 10A, Pulsed drain current: 40A, Power dissipation: 3.5W, Case: PowerPAK® 1212-8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 30mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 13nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.
Інші пропозиції SI7804DN-T1-E3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| SI7804DN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
 |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| SI7804DN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
09+ |
на замовлення 983 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| SI7804DN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
2006PB |
на замовлення 1018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
|
|
SI7804DN-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK1212-8 |
товару немає в наявності |
|
 |
SI7804DN-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET RECOMMENDED ALT SIS412DN-T1-GE3 |
товару немає в наявності |
|
| SI7804DN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 10A; Idm: 40A; 3.5W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 10A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 3.5W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 30mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |