Технічний опис SI7804DN-T1-E3 Vishay Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 10A; Idm: 40A; 3.5W, Case: PowerPAK® 1212-8, Kind of channel: enhancement, Mounting: SMD, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Gate charge: 13nC, On-state resistance: 30mΩ, Power dissipation: 3.5W, Drain current: 10A, Gate-source voltage: ±20V, Drain-source voltage: 30V, Pulsed drain current: 40A, Kind of package: reel; tape.
Інші пропозиції SI7804DN-T1-E3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| SI7804DN-T1-E3 | VISHAY |
 |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI7804DN-T1-E3 |
|
Виробник: VISHAY
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)