на замовлення 4653 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 118.22 грн |
| 10+ | 93.75 грн |
| 100+ | 57.44 грн |
| 500+ | 45.48 грн |
| 1000+ | 41.37 грн |
| 3000+ | 36.72 грн |
| 6000+ | 35.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7806ADN-T1-E3 Vishay Semiconductors
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 14A; Idm: 40A; 3.7W, Kind of package: reel; tape, Technology: TrenchFET®, Case: PowerPAK® 1212-8, Kind of channel: enhancement, Mounting: SMD, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Gate charge: 20nC, On-state resistance: 16mΩ, Power dissipation: 3.7W, Drain current: 14A, Gate-source voltage: ±20V, Drain-source voltage: 30V, Pulsed drain current: 40A.
Інші пропозиції SI7806ADN-T1-E3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7806ADN-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK1212-8 |
на замовлення 2352 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| SI7806ADN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
08+ |
на замовлення 203 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| SI7806ADN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
08+NOP |
на замовлення 203 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| SI7806ADN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
09+ |
на замовлення 40038 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
|
|
SI7806ADN-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK1212-8 |
товару немає в наявності |
|
| SI7806ADN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 14A; Idm: 40A; 3.7W Kind of package: reel; tape Technology: TrenchFET® Case: PowerPAK® 1212-8 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 20nC On-state resistance: 16mΩ Power dissipation: 3.7W Drain current: 14A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Pulsed drain current: 40A |
товару немає в наявності |