Продукція > VISHAY SEMICONDUCTORS > SI7806ADN-T1-E3

SI7806ADN-T1-E3 Vishay Semiconductors

Name: SI7806ADN-T1-E3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 14620586-4
Price: 445.24 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V 14A 0.011Ohm

на замовлення 4673 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	111.31 грн
10+	85.24 грн
100+	53.36 грн
500+	43.37 грн
1000+	40.07 грн
3000+	37.28 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SI7806ADN-T1-E3 Vishay Semiconductors

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 14A; Idm: 40A; 3.7W, Case: PowerPAK® 1212-8, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 14A, On-state resistance: 16mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 3.7W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 20nC, Technology: TrenchFET®, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 40A, Mounting: SMD, кількість в упаковці: 3000 шт.

Інші пропозиції SI7806ADN-T1-E3

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
SI7806ADN-T1-E3	Виробник : Vishay Siliconix	Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK1212-8	на замовлення 2352 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
SI7806ADN-T1-E3	Виробник : VISHAY	08+	на замовлення 203 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
SI7806ADN-T1-E3	Виробник : VISHAY	08+NOP	на замовлення 203 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
SI7806ADN-T1-E3	Виробник : VISHAY	09+	на замовлення 40038 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
SI7806ADN-T1-E3	Виробник : VISHAY	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 14A; Idm: 40A; 3.7W Case: PowerPAK® 1212-8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 14A On-state resistance: 16mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 3.7W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 20nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Mounting: SMD кількість в упаковці: 3000 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SI7806ADN-T1-E3	Виробник : Vishay Siliconix	Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK1212-8	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SI7806ADN-T1-E3	Виробник : VISHAY	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 14A; Idm: 40A; 3.7W Case: PowerPAK® 1212-8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 14A On-state resistance: 16mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 3.7W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 20nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Mounting: SMD	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.