на замовлення 5173 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 101.25 грн |
| 10+ | 85.99 грн |
| 100+ | 57.68 грн |
| 500+ | 51.07 грн |
| 1000+ | 40.39 грн |
| 3000+ | 37.92 грн |
| 6000+ | 35.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7806ADN-T1-E3 Vishay Semiconductors
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 14A; Idm: 40A; 3.7W, Kind of package: reel; tape, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 14A, On-state resistance: 16mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 3.7W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 20nC, Technology: TrenchFET®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 40A, Mounting: SMD, Case: PowerPAK® 1212-8, кількість в упаковці: 3000 шт.
Інші пропозиції SI7806ADN-T1-E3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7806ADN-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK1212-8 |
на замовлення 2352 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| SI7806ADN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
08+ |
на замовлення 203 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| SI7806ADN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
08+NOP |
на замовлення 203 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| SI7806ADN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
09+ |
на замовлення 40038 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| SI7806ADN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 14A; Idm: 40A; 3.7W Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 14A On-state resistance: 16mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 3.7W Polarisation: unipolar Gate charge: 20nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Mounting: SMD Case: PowerPAK® 1212-8 кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||
|
|
SI7806ADN-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK1212-8 |
товар відсутній |
|
| SI7806ADN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 14A; Idm: 40A; 3.7W Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 14A On-state resistance: 16mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 3.7W Polarisation: unipolar Gate charge: 20nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Mounting: SMD Case: PowerPAK® 1212-8 |
товар відсутній |