Технічний опис SI7806ADN-T1-GE3 Vishay
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 14A; Idm: 40A; 3.7W, Kind of package: reel; tape, Technology: TrenchFET®, Case: PowerPAK® 1212-8, Kind of channel: enhancement, Mounting: SMD, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Gate charge: 20nC, On-state resistance: 16mΩ, Power dissipation: 3.7W, Drain current: 14A, Gate-source voltage: ±20V, Drain-source voltage: 30V, Pulsed drain current: 40A, кількість в упаковці: 3000 шт.
Інші пропозиції SI7806ADN-T1-GE3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
SI7806ADN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 14A; Idm: 40A; 3.7W Kind of package: reel; tape Technology: TrenchFET® Case: PowerPAK® 1212-8 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 20nC On-state resistance: 16mΩ Power dissipation: 3.7W Drain current: 14A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Pulsed drain current: 40A кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
||
![]() |
SI7806ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
SI7806ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
|
SI7806ADN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 14A; Idm: 40A; 3.7W Kind of package: reel; tape Technology: TrenchFET® Case: PowerPAK® 1212-8 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 20nC On-state resistance: 16mΩ Power dissipation: 3.7W Drain current: 14A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Pulsed drain current: 40A |
товару немає в наявності |