Продукція > VISHAY > SI7806ADN-T1-GE3
SI7806ADN-T1-GE3

SI7806ADN-T1-GE3 Vishay


72995.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7806ADN-T1-GE3 Vishay

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 14A; Idm: 40A; 3.7W, Kind of package: reel; tape, Technology: TrenchFET®, Case: PowerPAK® 1212-8, Kind of channel: enhancement, Mounting: SMD, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Gate charge: 20nC, On-state resistance: 16mΩ, Power dissipation: 3.7W, Drain current: 14A, Gate-source voltage: ±20V, Drain-source voltage: 30V, Pulsed drain current: 40A, кількість в упаковці: 3000 шт.

Інші пропозиції SI7806ADN-T1-GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7806ADN-T1-GE3 Виробник : VISHAY 72995.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 14A; Idm: 40A; 3.7W
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Case: PowerPAK® 1212-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 16mΩ
Power dissipation: 3.7W
Drain current: 14A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 40A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7806ADN-T1-GE3 SI7806ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix 72995.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7806ADN-T1-GE3 SI7806ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors 72995.pdf MOSFETs 30V 14A 3.7W 11mohm @ 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7806ADN-T1-GE3 Виробник : VISHAY 72995.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 14A; Idm: 40A; 3.7W
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Case: PowerPAK® 1212-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 16mΩ
Power dissipation: 3.7W
Drain current: 14A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 40A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.