SI7810DN-T1-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 3.4A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 152.50 грн |
| 10+ | 93.99 грн |
| 100+ | 63.58 грн |
| 500+ | 47.44 грн |
| 1000+ | 43.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7810DN-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 3.4A PPAK1212-8, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 5.4A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції SI7810DN-T1-E3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
SI7810DN-T1-E3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 |
на замовлення 54434 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
SI7810DN-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 3.4A PPAK1212-8Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 5.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 2850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 2850 шт В кошику од. на суму грн. |
| SI7810DN-T1-E3 | VISHAY |
09+ |
на замовлення 1658 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |
| SI7810DN-T1-E3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.4A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI7810DN-T1-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 54434 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SI7810DN-T1-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 3.4A PPAK1212-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 5.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: MOSFET N-CH 100V 3.4A PPAK1212-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 5.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI7810DN-T1-E3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
09+
09+
на замовлення 1658 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
| SI7810DN-T1-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 3.4A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 3.4A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)



