Продукція > VISHAY SEMICONDUCTORS > SI7810DN-T1-E3
SI7810DN-T1-E3

SI7810DN-T1-E3 Vishay Semiconductors

70689.pdf Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 58713 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+152.39 грн
10+102.65 грн
100+64.73 грн
250+64.08 грн
500+52.68 грн
1000+47.60 грн
3000+45.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7810DN-T1-E3 Vishay Semiconductors

Description: MOSFET N-CH 100V 3.4A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 5.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V.

Інші пропозиції SI7810DN-T1-E3 за ціною від 43.67 грн до 153.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7810DN-T1-E3 SI7810DN-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix 70689.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 3.4A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+153.07 грн
10+94.34 грн
100+63.82 грн
500+47.62 грн
1000+43.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7810DN-T1-E3 SI7810DN-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix 70689.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 3.4A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7810DN-T1-E3 Виробник : VISHAY 70689.pdf
на замовлення 630 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7810DN-T1-E3 Виробник : VISHAY 70689.pdf 09+
на замовлення 1658 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7810DN-T1-E3 Виробник : VISHAY 70689.pdf SI7810DN-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.