SI7810DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors
на замовлення 25475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 109.82 грн |
| 10+ | 90.6 грн |
| 100+ | 62.69 грн |
| 250+ | 57.61 грн |
| 500+ | 52.27 грн |
| 1000+ | 44.8 грн |
| 3000+ | 41.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7810DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 5.4A; Idm: 20A, Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Power dissipation: 3.8W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 17nC, Technology: TrenchFET®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 20A, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 5.4A, On-state resistance: 84mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, кількість в упаковці: 3000 шт.
Інші пропозиції SI7810DN-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7810DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 100V 3.4A PPAK1212-8 |
на замовлення 1440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| SI7810DN-T1-GE3 |
|
на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
| SI7810DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 5.4A; Idm: 20A Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 3.8W Polarisation: unipolar Gate charge: 17nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 20A Drain-source voltage: 100V Drain current: 5.4A On-state resistance: 84mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||
|
|
SI7810DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 3.4A PPAK1212-8 |
товар відсутній |
|
| SI7810DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 5.4A; Idm: 20A Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 3.8W Polarisation: unipolar Gate charge: 17nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 20A Drain-source voltage: 100V Drain current: 5.4A On-state resistance: 84mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |