SI7812DN-T1-E3 Vishay Semiconductors
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 212.97 грн |
| 10+ | 124.82 грн |
| 100+ | 80.35 грн |
| 500+ | 65.48 грн |
| 1000+ | 62.45 грн |
| 3000+ | 53.92 грн |
| 6000+ | 52.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7812DN-T1-E3 Vishay Semiconductors
Description: MOSFET N-CH 75V 16A PPAK1212-8, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 35 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 7.2A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc).
Інші пропозиції SI7812DN-T1-E3 за ціною від 63.86 грн до 213.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7812DN-T1-E3 | Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 75V 16A PPAK1212-8Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 7.2A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 35 V |
на замовлення 4461 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| SI7812DN-T1-E3 | VISHAY |
09+ |
на замовлення 1588 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI7812DN-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 75V 16A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 35 V
Description: MOSFET N-CH 75V 16A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 35 V
на замовлення 4461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 213.30 грн |
| 10+ | 132.78 грн |
| 100+ | 91.44 грн |
| 500+ | 69.20 грн |
| 1000+ | 63.86 грн |
| SI7812DN-T1-E3 |
|
Виробник: VISHAY
09+
09+
на замовлення 1588 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)