SI7812DN-T1-E3 Vishay Semiconductors
на замовлення 34106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 184.56 грн |
| 10+ | 125.18 грн |
| 100+ | 87.08 грн |
| 500+ | 71.04 грн |
| 1000+ | 65.31 грн |
| 3000+ | 60.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7812DN-T1-E3 Vishay Semiconductors
Description: MOSFET N-CH 75V 16A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 7.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 35 V.
Інші пропозиції SI7812DN-T1-E3 за ціною від 63.22 грн до 211.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7812DN-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 75V 16A PPAK1212-8Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 7.2A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 35 V |
на замовлення 4461 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SI7812DN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
06+NOP |
на замовлення 588 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| SI7812DN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
09+ |
на замовлення 1588 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| SI7812DN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 70V; 16A; Idm: 25A; 52W Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 24nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 25A Mounting: SMD Case: PowerPAK® 1212-8 Drain-source voltage: 70V Drain current: 16A On-state resistance: 46mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 52W кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
|
SI7812DN-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 75V 16A PPAK1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 7.2A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 35 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| SI7812DN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 70V; 16A; Idm: 25A; 52W Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 24nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 25A Mounting: SMD Case: PowerPAK® 1212-8 Drain-source voltage: 70V Drain current: 16A On-state resistance: 46mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 52W |
товару немає в наявності |