Продукція > VISHAY SEMICONDUCTORS > SI7812DN-T1-E3
SI7812DN-T1-E3

SI7812DN-T1-E3 Vishay Semiconductors

si7812dn.pdf Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 75V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 36609 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+187.51 грн
10+129.98 грн
100+88.07 грн
500+70.46 грн
1000+64.88 грн
3000+60.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7812DN-T1-E3 Vishay Semiconductors

Description: MOSFET N-CH 75V 16A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 7.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 35 V.

Інші пропозиції SI7812DN-T1-E3 за ціною від 63.94 грн до 213.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7812DN-T1-E3 SI7812DN-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si7812dn.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 16A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 35 V
на замовлення 4461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+213.56 грн
10+132.94 грн
100+91.55 грн
500+69.28 грн
1000+63.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7812DN-T1-E3 Виробник : VISHAY si7812dn.pdf 06+NOP
на замовлення 588 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7812DN-T1-E3 Виробник : VISHAY si7812dn.pdf 09+
на замовлення 1588 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7812DN-T1-E3 Виробник : VISHAY si7812dn.pdf SI7812DN-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7812DN-T1-E3 SI7812DN-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si7812dn.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 16A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 35 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.