Продукція > VISHAY SEMICONDUCTORS > SI7818DN-T1-E3
SI7818DN-T1-E3

SI7818DN-T1-E3 Vishay Semiconductors

si7818dn.pdf Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 3471 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+130.35 грн
10+105.04 грн
100+70.88 грн
500+60.54 грн
1000+49.29 грн
3000+46.43 грн
6000+45.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7818DN-T1-E3 Vishay Semiconductors

Description: MOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 3.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V.

Інші пропозиції SI7818DN-T1-E3 за ціною від 49.33 грн до 170.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7818DN-T1-E3 SI7818DN-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si7818dn.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
на замовлення 2822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+170.67 грн
10+105.69 грн
100+71.75 грн
500+53.71 грн
1000+49.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7818DN-T1-E3 Виробник : VISHAY si7818dn.pdf 09+
на замовлення 233 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7818DN-T1-E3 SI7818DN-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si7818dn.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7818DN-T1-E3 Виробник : VISHAY si7818dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 2.2A; Idm: 10A
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® 1212-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 30nC
On-state resistance: 135mΩ
Power dissipation: 0.8W
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 10A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 150V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.