SI7818DN-T1-E3 Vishay Semiconductors
на замовлення 3471 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 127.03 грн |
| 10+ | 102.37 грн |
| 100+ | 69.08 грн |
| 500+ | 59.00 грн |
| 1000+ | 48.04 грн |
| 3000+ | 45.24 грн |
| 6000+ | 44.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7818DN-T1-E3 Vishay Semiconductors
Description: MOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 3.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V.
Інші пропозиції SI7818DN-T1-E3 за ціною від 48.07 грн до 166.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7818DN-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V |
на замовлення 2822 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SI7818DN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
09+ |
на замовлення 233 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| SI7818DN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 3.4A; Idm: 10A Case: PowerPAK® 1212-8 Drain-source voltage: 150V Drain current: 3.4A On-state resistance: 142mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 3.8W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 30nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 10A Mounting: SMD кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
|
SI7818DN-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| SI7818DN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 3.4A; Idm: 10A Case: PowerPAK® 1212-8 Drain-source voltage: 150V Drain current: 3.4A On-state resistance: 142mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 3.8W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 30nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 10A Mounting: SMD |
товару немає в наявності |