SI7818DN-T1-GE3

SI7818DN-T1-GE3 Vishay Siliconix


si7818dn.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+48.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7818DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 3.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V.

Інші пропозиції SI7818DN-T1-GE3 за ціною від 43.63 грн до 140.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7818DN-T1-GE3 SI7818DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7818dn.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
на замовлення 5709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.19 грн
10+91.42 грн
100+71.13 грн
500+56.58 грн
1000+46.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7818DN-T1-GE3 SI7818DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si7818dn.pdf MOSFETs 150V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 66472 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.76 грн
10+104.91 грн
100+67.02 грн
500+53.48 грн
1000+49.07 грн
3000+45.17 грн
6000+43.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7818DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7818dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 2.2A; Idm: 10A; 0.8W
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 2.2A
On-state resistance: 135mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 10A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7818DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7818dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 2.2A; Idm: 10A; 0.8W
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 2.2A
On-state resistance: 135mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 10A
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.