Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7818DN-T1-GE3
SI7818DN-T1-GE3

SI7818DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

si7818dn.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+51.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7818DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 3.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V.

Інші пропозиції SI7818DN-T1-GE3 за ціною від 46.68 грн до 150.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7818DN-T1-GE3 SI7818DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7818dn.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
на замовлення 5709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+124.33 грн
10+97.83 грн
100+76.12 грн
500+60.55 грн
1000+49.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7818DN-T1-GE3 SI7818DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si7818dn.pdf MOSFETs 150V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 66472 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+150.63 грн
10+112.26 грн
100+71.72 грн
500+57.23 грн
1000+52.51 грн
3000+48.34 грн
6000+46.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.