SI7818DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 49.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7818DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 3.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V.
Інші пропозиції SI7818DN-T1-GE3 за ціною від 45.06 грн до 145.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI7818DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V |
на замовлення 5709 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI7818DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 150V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 |
на замовлення 66472 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SI7818DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 2.2A; Idm: 10A Kind of package: reel; tape Case: PowerPAK® 1212-8 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Gate charge: 30nC On-state resistance: 135mΩ Power dissipation: 0.8W Drain current: 2.2A Pulsed drain current: 10A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 150V кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| SI7818DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 2.2A; Idm: 10A Kind of package: reel; tape Case: PowerPAK® 1212-8 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Gate charge: 30nC On-state resistance: 135mΩ Power dissipation: 0.8W Drain current: 2.2A Pulsed drain current: 10A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 150V |
товару немає в наявності |