SI7820DN-T1-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 1.7A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 159.54 грн |
| 10+ | 106.19 грн |
| 100+ | 84.96 грн |
| 500+ | 67.97 грн |
| 1000+ | 58.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7820DN-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 1.7A PPAK1212-8, Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.6A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V.
Інші пропозиції SI7820DN-T1-E3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7820DN-T1-E3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 200V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 |
на замовлення 5205 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI7820DN-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 200V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
MOSFETs 200V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 5205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)