Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7820DN-T1-GE3
SI7820DN-T1-GE3

SI7820DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

si7820dn.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 1.7A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+45.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7820DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI7820DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 2.6 A, 0.25 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 1.5W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PWM-Optimized TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 6V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm.

Інші пропозиції SI7820DN-T1-GE3 за ціною від 47.73 грн до 165.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI7820DN-T1-GE3 SI7820DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7820dn.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 1.7A PPAK1212-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+165.02 грн
10+101.82 грн
100+69.29 грн
500+51.94 грн
1000+47.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7820DN-T1-GE3 SI7820DN-T1-GE3 VISHAY si7820dn.pdf Description: VISHAY - SI7820DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 2.6 A, 0.25 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PWM-Optimized TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 6V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7820DN-T1-GE3 SI7820DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors si7820dn.pdf MOSFETs 200V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 13494 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7820DN-T1-GE3 si7820dn.pdf
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7820DN-T1-GE3 si7820dn.pdf
SI7820DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 1.7A PPAK1212-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+165.02 грн
10+101.82 грн
100+69.29 грн
500+51.94 грн
1000+47.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7820DN-T1-GE3 si7820dn.pdf
SI7820DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7820DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 2.6 A, 0.25 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PWM-Optimized TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 6V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7820DN-T1-GE3 si7820dn.pdf
SI7820DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 200V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 13494 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7820DN-T1-GE3 si7820dn.pdf
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.