Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7820DN-T1-GE3
SI7820DN-T1-GE3

SI7820DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

si7820dn.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 1.7A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+46.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7820DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 200V 1.7A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V.

Інші пропозиції SI7820DN-T1-GE3 за ціною від 48.45 грн до 167.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7820DN-T1-GE3 SI7820DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si7820dn.pdf MOSFETs 200V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 21859 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+160.11 грн
10+111.41 грн
100+76.33 грн
250+75.59 грн
500+64.73 грн
1000+59.15 грн
3000+52.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7820DN-T1-GE3 SI7820DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7820dn.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 1.7A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
на замовлення 11681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+167.51 грн
10+103.36 грн
100+70.33 грн
500+52.72 грн
1000+48.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7820DN-T1-GE3 si7820dn.pdf
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7820DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7820dn.pdf SI7820DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.