SI7846DP-T1-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 80.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7846DP-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V.
Інші пропозиції SI7846DP-T1-E3 за ціною від 70.66 грн до 166.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7846DP-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs SOT669 150V 24.5A N-CH MOSFET |
на замовлення 1433 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI7846DP-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V |
на замовлення 15705 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SI7846DP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 24.5A; Idm: 50A Kind of package: reel; tape Case: PowerPAK® SO8 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Gate charge: 36nC On-state resistance: 50mΩ Power dissipation: 5.2W Gate-source voltage: ±20V Drain current: 24.5A Pulsed drain current: 50A Drain-source voltage: 150V Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| SI7846DP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 24.5A; Idm: 50A Kind of package: reel; tape Case: PowerPAK® SO8 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Gate charge: 36nC On-state resistance: 50mΩ Power dissipation: 5.2W Gate-source voltage: ±20V Drain current: 24.5A Pulsed drain current: 50A Drain-source voltage: 150V Polarisation: unipolar |
товару немає в наявності |