Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7846DP-T1-E3
SI7846DP-T1-E3

SI7846DP-T1-E3 Vishay Siliconix

Si7846DP.PDF Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+76.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7846DP-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V.

Інші пропозиції SI7846DP-T1-E3 за ціною від 67.48 грн до 185.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7846DP-T1-E3 SI7846DP-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix Si7846DP.PDF Description: MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
на замовлення 15705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+158.56 грн
10+128.50 грн
100+99.73 грн
500+73.83 грн
1000+67.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7846DP-T1-E3 SI7846DP-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors Si7846DP.PDF MOSFETs SOT669 150V 24.5A N-CH MOSFET
на замовлення 3955 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+185.41 грн
10+151.88 грн
100+105.22 грн
250+103.77 грн
500+89.26 грн
1000+79.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7846DP-T1-E3 Виробник : VISHAY Si7846DP.PDF SI7846DP-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.