Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7846DP-T1-E3
SI7846DP-T1-E3

SI7846DP-T1-E3 Vishay Siliconix

Si7846DP.PDF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+77.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7846DP-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V.

Інші пропозиції SI7846DP-T1-E3 за ціною від 68.17 грн до 247.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI7846DP-T1-E3 SI7846DP-T1-E3 Vishay si7846dp.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 4A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+151.26 грн
10+128.46 грн
25+93.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7846DP-T1-E3 SI7846DP-T1-E3 Vishay Siliconix Si7846DP.PDF Description: MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
на замовлення 15705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.17 грн
10+129.81 грн
100+100.74 грн
500+74.58 грн
1000+68.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7846DP-T1-E3 SI7846DP-T1-E3 Vishay Semiconductors Si7846DP.PDF MOSFETs SOT669 150V 24.5A N-CH MOSFET
на замовлення 3638 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+247.51 грн
10+158.87 грн
100+107.84 грн
500+88.81 грн
1000+84.58 грн
3000+80.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7846DP-T1-E3 SI7846DP-T1-E3 Vishay si7846dp.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 4A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7846DP-T1-E3 si7846dp.pdf
SI7846DP-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 150V 4A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+151.26 грн
10+128.46 грн
25+93.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7846DP-T1-E3 Si7846DP.PDF
SI7846DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
на замовлення 15705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+160.17 грн
10+129.81 грн
100+100.74 грн
500+74.58 грн
1000+68.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7846DP-T1-E3 Si7846DP.PDF
SI7846DP-T1-E3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs SOT669 150V 24.5A N-CH MOSFET
на замовлення 3638 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+247.51 грн
10+158.87 грн
100+107.84 грн
500+88.81 грн
1000+84.58 грн
3000+80.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7846DP-T1-E3 si7846dp.pdf
SI7846DP-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 150V 4A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.