 
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 3000+ | 42.32 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7848BDP-T1-E3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 36W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V. 
Інші пропозиції SI7848BDP-T1-E3 за ціною від 93.93 грн до 214.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   | SI7848BDP-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |  Description: MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V | на замовлення 27000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | SI7848BDP-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |  Description: MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V | на замовлення 29237 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | SI7848BDP-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |  MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | на замовлення 25585 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | SI7848BDP-T1-E3 | Виробник : Vishay |  Trans MOSFET N-CH 40V 47A 8-Pin PowerPAK SO T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||
|   | SI7848BDP-T1-E3 | Виробник : Vishay |  Trans MOSFET N-CH 40V 47A 8-Pin PowerPAK SO T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||
| SI7848BDP-T1-E3 | Виробник : Vishay |  Trans MOSFET N-CH 40V 16A 8-Pin PowerPAK SO T/R | товару немає в наявності |