Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7848BDP-T1-E3
SI7848BDP-T1-E3

SI7848BDP-T1-E3 Vishay Siliconix

si7848bdp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+87.97 грн
6000+84.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7848BDP-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 36W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: PowerPAK® SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SI7848BDP-T1-E3 за ціною від 91.12 грн до 289.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI7848BDP-T1-E3 SI7848BDP-T1-E3 Vishay si7848bdp.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 47A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+113.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7848BDP-T1-E3 SI7848BDP-T1-E3 Vishay si7848bdp.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 47A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+113.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7848BDP-T1-E3 SI7848BDP-T1-E3 Vishay Siliconix si7848bdp.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 36W (Tc)
на замовлення 25980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+278.03 грн
10+175.75 грн
100+123.38 грн
500+96.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7848BDP-T1-E3 SI7848BDP-T1-E3 Vishay Semiconductors si7848bdp.pdf MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 21483 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+289.14 грн
10+188.15 грн
100+114.60 грн
500+95.27 грн
3000+91.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7848BDP-T1-E3 si7848bdp.pdf
SI7848BDP-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 47A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+113.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7848BDP-T1-E3 si7848bdp.pdf
SI7848BDP-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 47A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+113.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7848BDP-T1-E3 si7848bdp.pdf
SI7848BDP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 36W (Tc)
на замовлення 25980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+278.03 грн
10+175.75 грн
100+123.38 грн
500+96.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7848BDP-T1-E3 si7848bdp.pdf
SI7848BDP-T1-E3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 21483 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+289.14 грн
10+188.15 грн
100+114.60 грн
500+95.27 грн
3000+91.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.