на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 40.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7848BDP-T1-E3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 36W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V.
Інші пропозиції SI7848BDP-T1-E3 за ціною від 90.57 грн до 210.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7848BDP-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI7848BDP-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V |
на замовлення 29237 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI7848BDP-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 26334 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI7848BDP-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 47A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
SI7848BDP-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 47A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| SI7848BDP-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 16A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| SI7848BDP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 12.8A; 36W; PowerPAK® SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 12.8A Power dissipation: 36W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12mΩ Mounting: SMD Gate charge: 50nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| SI7848BDP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 12.8A; 36W; PowerPAK® SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 12.8A Power dissipation: 36W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12mΩ Mounting: SMD Gate charge: 50nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |