SI7848BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 50.07 грн |
| 6000+ | 46.4 грн |
| 9000+ | 44.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7848BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 36W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V.
Інші пропозиції SI7848BDP-T1-GE3 за ціною від 47.63 грн до 121.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI7848BDP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V |
на замовлення 10825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI7848BDP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 4667 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI7848BDP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 16A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
| SI7848BDP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 16A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||
 |
SI7848BDP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 16A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
| SI7848BDP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 16A; Idm: 50A; 23W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 16A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 23W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 50nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
| SI7848BDP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 16A; Idm: 50A; 23W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 16A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 23W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 50nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |