Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7848BDP-T1-GE3
SI7848BDP-T1-GE3

SI7848BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix

si7848bdp.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+91.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7848BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 36W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V.

Інші пропозиції SI7848BDP-T1-GE3 за ціною від 91.22 грн до 251.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7848BDP-T1-GE3 SI7848BDP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7848bdp.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
на замовлення 4446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+189.40 грн
10+118.25 грн
100+91.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7848BDP-T1-GE3 SI7848BDP-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si7848bdp.pdf MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 3957 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+251.48 грн
10+181.05 грн
100+120.65 грн
500+99.32 грн
1000+91.96 грн
3000+91.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7848BDP-T1-GE3 SI7848BDP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7848bdp.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 16A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7848BDP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7848bdp.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 16A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7848BDP-T1-GE3 SI7848BDP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7848bdp.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 16A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7848BDP-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7848bdp.pdf SI7848BDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.