SI7850ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 10.3A/12A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 32.01 грн |
| 6000+ | 28.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7850ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI7850ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.0195 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35.7W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції SI7850ADP-T1-GE3 за ціною від 32.83 грн до 146.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7850ADP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 10.3A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7850ADP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 10.3A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7850ADP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 10.3A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 2420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7850ADP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 10.3A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 2420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI7850ADP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7850ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.0195 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 35.7W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 29678 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7850ADP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 10.3A/12A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 35.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 30 V |
на замовлення 8692 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI7850ADP-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 13335 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7850ADP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7850ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.0195 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 35.7W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 29678 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7850ADP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 10.3A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| SI7850ADP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 12A; Idm: 40A Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Case: PowerPAK® SO8 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Gate charge: 17nC On-state resistance: 25mΩ Power dissipation: 35.7W Drain current: 12A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Drain-source voltage: 60V |
товару немає в наявності |