Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7850ADP-T1-GE3
SI7850ADP-T1-GE3

SI7850ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix

si7850adp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 10.3A/12A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+32.58 грн
6000+29.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7850ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI7850ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.0195 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35.7W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції SI7850ADP-T1-GE3 за ціною від 33.42 грн до 149.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI7850ADP-T1-GE3 SI7850ADP-T1-GE3 Vishay si7850adp.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10.3A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+36.74 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850ADP-T1-GE3 SI7850ADP-T1-GE3 Vishay si7850adp.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10.3A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+36.86 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850ADP-T1-GE3 SI7850ADP-T1-GE3 Vishay si7850adp.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10.3A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 2420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+50.99 грн
25+50.19 грн
100+47.63 грн
250+43.39 грн
500+40.96 грн
1000+40.28 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850ADP-T1-GE3 SI7850ADP-T1-GE3 Vishay si7850adp.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10.3A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 2420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+50.99 грн
283+50.19 грн
287+49.40 грн
292+46.86 грн
500+42.67 грн
1000+40.28 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850ADP-T1-GE3 SI7850ADP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0011029466-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7850ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.0195 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 29678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+63.79 грн
500+43.19 грн
1500+37.71 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850ADP-T1-GE3 SI7850ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7850adp.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 10.3A/12A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 30 V
на замовлення 8692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.41 грн
10+73.23 грн
100+49.21 грн
500+36.51 грн
1000+33.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850ADP-T1-GE3 SI7850ADP-T1-GE3 Vishay / Siliconix si7850adp.pdf MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 12835 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+135.23 грн
10+85.12 грн
100+49.58 грн
500+39.17 грн
1000+35.82 грн
3000+33.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850ADP-T1-GE3 SI7850ADP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0011029466-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7850ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.0195 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 29678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+149.08 грн
50+95.31 грн
100+63.79 грн
500+43.19 грн
1500+37.71 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850ADP-T1-GE3 si7850adp.pdf
SI7850ADP-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 10.3A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6000+36.74 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850ADP-T1-GE3 si7850adp.pdf
SI7850ADP-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 10.3A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6000+36.86 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850ADP-T1-GE3 si7850adp.pdf
SI7850ADP-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 10.3A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 2420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
15+50.99 грн
25+50.19 грн
100+47.63 грн
250+43.39 грн
500+40.96 грн
1000+40.28 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850ADP-T1-GE3 si7850adp.pdf
SI7850ADP-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 10.3A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 2420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
278+50.99 грн
283+50.19 грн
287+49.40 грн
292+46.86 грн
500+42.67 грн
1000+40.28 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850ADP-T1-GE3 VISH-S-A0011029466-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI7850ADP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7850ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.0195 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 29678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+63.79 грн
500+43.19 грн
1500+37.71 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850ADP-T1-GE3 si7850adp.pdf
SI7850ADP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 10.3A/12A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 30 V
на замовлення 8692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+119.41 грн
10+73.23 грн
100+49.21 грн
500+36.51 грн
1000+33.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850ADP-T1-GE3 si7850adp.pdf
SI7850ADP-T1-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 12835 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+135.23 грн
10+85.12 грн
100+49.58 грн
500+39.17 грн
1000+35.82 грн
3000+33.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850ADP-T1-GE3 VISH-S-A0011029466-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI7850ADP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7850ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.0195 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 29678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+149.08 грн
50+95.31 грн
100+63.79 грн
500+43.19 грн
1500+37.71 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.