Продукція > VISHAY > SI7850ADP-T1-GE3
SI7850ADP-T1-GE3

SI7850ADP-T1-GE3 Vishay

si7850adp.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 10.3A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+31.34 грн
21+29.19 грн
25+28.91 грн
100+26.55 грн
250+24.34 грн
500+23.22 грн
1000+23.06 грн
3000+22.91 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7850ADP-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI7850ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.016 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35.7W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI7850ADP-T1-GE3 за ціною від 24.67 грн до 102.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7850ADP-T1-GE3 SI7850ADP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7850adp.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10.3A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
389+31.44 грн
392+31.13 грн
412+29.66 грн
416+28.32 грн
500+26.04 грн
1000+24.83 грн
3000+24.67 грн
Мінімальне замовлення: 389
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850ADP-T1-GE3 SI7850ADP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7850adp.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10.3A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+34.58 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850ADP-T1-GE3 SI7850ADP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7850adp.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 10.3A/12A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+36.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850ADP-T1-GE3 SI7850ADP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7850adp.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10.3A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+37.58 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850ADP-T1-GE3 SI7850ADP-T1-GE3 Виробник : VISHAY 2579980.pdf Description: VISHAY - SI7850ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.016 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 31595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+53.31 грн
500+36.48 грн
1000+31.12 грн
5000+28.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850ADP-T1-GE3 SI7850ADP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7850adp.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 10.3A/12A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 30 V
на замовлення 5768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.60 грн
10+54.87 грн
100+46.50 грн
500+41.09 грн
1000+38.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850ADP-T1-GE3 SI7850ADP-T1-GE3 Виробник : VISHAY 2579980.pdf Description: VISHAY - SI7850ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.016 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 31595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+91.61 грн
12+70.15 грн
100+53.31 грн
500+36.48 грн
1000+31.12 грн
5000+28.22 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850ADP-T1-GE3 SI7850ADP-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix si7850adp.pdf MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 16073 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+102.14 грн
10+70.14 грн
100+47.01 грн
500+40.46 грн
1000+38.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850ADP-T1-GE3 SI7850ADP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7850adp.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10.3A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850ADP-T1-GE3 SI7850ADP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7850adp.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10.3A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850ADP-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7850adp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 12A; Idm: 40A
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 17nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850ADP-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7850adp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 12A; Idm: 40A
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 17nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.