Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7850ADP-T1-GE3

SI7850ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Name: SI7850ADP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 7920395-3
Price: 106170.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 10.3A/12A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 30 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	35.39 грн
6000+	31.77 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SI7850ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI7850ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.0195 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, Verlustleistung: 35.7W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm.

Інші пропозиції SI7850ADP-T1-GE3 за ціною від 36.27 грн до 129.62 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

SI7850ADP-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 10.3A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	36.74 грн

Мінімальне замовлення: 6000 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7850ADP-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 10.3A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	36.86 грн

Мінімальне замовлення: 6000 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7850ADP-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 10.3A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 2420 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	50.99 грн
25+	50.19 грн
100+	47.63 грн
250+	43.39 грн
500+	40.96 грн
1000+	40.28 грн

Мінімальне замовлення: 15 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7850ADP-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 10.3A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 2420 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

278+	50.99 грн
283+	50.19 грн
287+	49.40 грн
292+	46.86 грн
500+	42.67 грн
1000+	40.28 грн

Мінімальне замовлення: 278 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7850ADP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 10.3A/12A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 30 V

на замовлення 8380 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	129.62 грн
10+	79.58 грн
100+	53.44 грн
500+	39.65 грн
1000+	36.27 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7850ADP-T1-GE3

Vishay / Siliconix

MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

на замовлення 10499 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI7850ADP-T1-GE3

VISHAY

Description: VISHAY - SI7850ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.0195 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 35.7W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm

на замовлення 29623 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7850ADP-T1-GE3

VISHAY

Description: VISHAY - SI7850ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.0195 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 35.7W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm

на замовлення 29623 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7850ADP-T1-GE3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 10.3A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
6000+	36.74 грн

Мінімальне замовлення: 6000 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7850ADP-T1-GE3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 10.3A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
6000+	36.86 грн

Мінімальне замовлення: 6000 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7850ADP-T1-GE3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 10.3A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 2420 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
15+	50.99 грн
25+	50.19 грн
100+	47.63 грн
250+	43.39 грн
500+	40.96 грн
1000+	40.28 грн

Мінімальне замовлення: 15 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7850ADP-T1-GE3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 10.3A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 2420 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
278+	50.99 грн
283+	50.19 грн
287+	49.40 грн
292+	46.86 грн
500+	42.67 грн
1000+	40.28 грн

Мінімальне замовлення: 278 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7850ADP-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 10.3A/12A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 30 V

на замовлення 8380 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3+	129.62 грн
10+	79.58 грн
100+	53.44 грн
500+	39.65 грн
1000+	36.27 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7850ADP-T1-GE3

Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

на замовлення 10499 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI7850ADP-T1-GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7850ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.0195 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 35.7W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm

на замовлення 29623 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7850ADP-T1-GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7850ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.0195 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 35.7W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm

на замовлення 29623 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.