Продукція > VISHAY > SI7850DP-T1-E3
SI7850DP-T1-E3

SI7850DP-T1-E3 Vishay

si7850dp.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 6.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+47.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7850DP-T1-E3 Vishay

Description: VISHAY - SI7850DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10.3 A, 0.022 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI7850DP-T1-E3 за ціною від 49.89 грн до 226.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7850DP-T1-E3 SI7850DP-T1-E3 Виробник : Vishay 71625.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 6.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+51.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850DP-T1-E3 SI7850DP-T1-E3 Виробник : Vishay 71625.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 6.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+55.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850DP-T1-E3 SI7850DP-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix 71625.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+63.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850DP-T1-E3 SI7850DP-T1-E3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0003692619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7850DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10.3 A, 0.022 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+83.96 грн
500+67.75 грн
1000+57.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850DP-T1-E3 SI7850DP-T1-E3 Виробник : Vishay 71625.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 6.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 1561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
127+96.06 грн
128+95.10 грн
145+84.15 грн
250+80.30 грн
500+67.70 грн
1000+49.89 грн
Мінімальне замовлення: 127
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850DP-T1-E3 SI7850DP-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix 71625.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
на замовлення 14083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+192.33 грн
10+83.34 грн
100+74.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850DP-T1-E3 SI7850DP-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors 71625.pdf MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+198.56 грн
10+98.74 грн
100+73.85 грн
500+67.32 грн
1000+66.03 грн
3000+56.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850DP-T1-E3 SI7850DP-T1-E3 Виробник : Vishay 71625.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 6.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+201.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850DP-T1-E3 SI7850DP-T1-E3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0003692619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7850DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10.3 A, 0.022 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+221.61 грн
50+114.22 грн
100+93.76 грн
500+79.94 грн
1500+73.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850DP-T1-E3 SI7850DP-T1-E3 Виробник : Vishay 71625.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 6.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 1561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+226.59 грн
10+102.92 грн
25+101.89 грн
100+86.94 грн
250+79.67 грн
500+69.63 грн
1000+53.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850DP-T1-E3 Виробник : VISHAY 71625.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6.2A; Idm: 40A
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 27nC
On-state resistance: 22mΩ
Power dissipation: 0.9W
Drain current: 6.2A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 60V
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850DP-T1-E3 Виробник : VISHAY 71625.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6.2A; Idm: 40A
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 27nC
On-state resistance: 22mΩ
Power dissipation: 0.9W
Drain current: 6.2A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.