на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 47.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7850DP-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI7850DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.2 A, 0.018 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SI7850DP-T1-GE3 за ціною від 50.33 грн до 205.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7850DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10.3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI7850DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7850DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.2 A, 0.018 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 6726 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI7850DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7850DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.2 A, 0.018 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 6726 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI7850DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6.2A; Idm: 40A Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Case: PowerPAK® SO8 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Technology: TrenchFET® Gate charge: 27nC On-state resistance: 22mΩ Power dissipation: 0.9W Drain current: 6.2A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Drain-source voltage: 60V |
на замовлення 2967 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI7850DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6.2A; Idm: 40A Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Case: PowerPAK® SO8 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Technology: TrenchFET® Gate charge: 27nC On-state resistance: 22mΩ Power dissipation: 0.9W Drain current: 6.2A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Drain-source voltage: 60V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2967 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI7850DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 2118 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI7850DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10.3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V |
на замовлення 4525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI7850DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 6.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SI7850DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 6.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
товару немає в наявності |