Продукція > VISHAY > SI7850DP-T1-GE3
SI7850DP-T1-GE3

SI7850DP-T1-GE3 Vishay

si7850dp.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 6.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+47.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7850DP-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI7850DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.2 A, 0.018 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI7850DP-T1-GE3 за ціною від 52.24 грн до 211.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7850DP-T1-GE3 SI7850DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix 71625.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+73.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850DP-T1-GE3 SI7850DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0003692619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7850DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.2 A, 0.018 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 6726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+103.13 грн
500+75.43 грн
1500+68.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850DP-T1-GE3 SI7850DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0003692619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7850DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.2 A, 0.018 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 6726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+138.93 грн
50+121.89 грн
100+103.13 грн
500+75.43 грн
1500+68.24 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850DP-T1-GE3 SI7850DP-T1-GE3 Виробник : Vishay 71625.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 6.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+140.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850DP-T1-GE3 SI7850DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY 71625.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6.2A; Idm: 40A
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 27nC
On-state resistance: 22mΩ
Power dissipation: 0.9W
Drain current: 6.2A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 60V
на замовлення 2967 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+176.44 грн
5+132.97 грн
10+118.72 грн
17+55.40 грн
47+52.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850DP-T1-GE3 SI7850DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors 71625.pdf MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 2127 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+201.22 грн
10+136.31 грн
100+82.06 грн
500+67.32 грн
3000+56.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850DP-T1-GE3 SI7850DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix 71625.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
на замовлення 4525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+207.12 грн
10+130.12 грн
100+94.39 грн
500+71.44 грн
1000+65.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850DP-T1-GE3 SI7850DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY 71625.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6.2A; Idm: 40A
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 27nC
On-state resistance: 22mΩ
Power dissipation: 0.9W
Drain current: 6.2A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 60V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2967 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+211.72 грн
5+165.70 грн
10+142.46 грн
17+66.48 грн
47+62.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850DP-T1-GE3 SI7850DP-T1-GE3 Виробник : Vishay 71625.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 6.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850DP-T1-GE3 SI7850DP-T1-GE3 Виробник : Vishay 71625.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 6.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.