Продукція > VISHAY > SI7850DP-T1-GE3
SI7850DP-T1-GE3

SI7850DP-T1-GE3 VISHAY

VISH-S-A0003692619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7850DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.2 A, 0.022 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+94.56 грн
500+72.92 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7850DP-T1-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SI7850DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.2 A, 0.022 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026).

Інші пропозиції SI7850DP-T1-GE3 за ціною від 56.84 грн до 259.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI7850DP-T1-GE3 SI7850DP-T1-GE3 Vishay doc71625.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 6.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 2885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+184.14 грн
102+138.66 грн
115+123.13 грн
500+90.92 грн
1000+75.27 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850DP-T1-GE3 SI7850DP-T1-GE3 VISHAY 71625.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6.2A; Idm: 40A
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 27nC
On-state resistance: 22mΩ
Power dissipation: 0.9W
Drain current: 6.2A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 60V
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+185.47 грн
5+137.44 грн
10+121.32 грн
50+89.08 грн
100+78.90 грн
500+63.63 грн
1000+59.39 грн
1500+56.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850DP-T1-GE3 SI7850DP-T1-GE3 Vishay Siliconix 71625.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+202.99 грн
10+126.14 грн
100+86.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850DP-T1-GE3 SI7850DP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0003692619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7850DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.2 A, 0.022 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+212.97 грн
50+138.15 грн
100+94.56 грн
500+72.92 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850DP-T1-GE3 SI7850DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors 71625.pdf MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+217.91 грн
10+138.60 грн
100+82.46 грн
500+67.31 грн
1000+62.45 грн
3000+58.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850DP-T1-GE3 SI7850DP-T1-GE3 Vishay doc71625.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 6.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+259.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850DP-T1-GE3 doc71625.pdf
SI7850DP-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 6.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 2885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
77+184.14 грн
102+138.66 грн
115+123.13 грн
500+90.92 грн
1000+75.27 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850DP-T1-GE3 71625.pdf
SI7850DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6.2A; Idm: 40A
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 27nC
On-state resistance: 22mΩ
Power dissipation: 0.9W
Drain current: 6.2A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 60V
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+185.47 грн
5+137.44 грн
10+121.32 грн
50+89.08 грн
100+78.90 грн
500+63.63 грн
1000+59.39 грн
1500+56.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850DP-T1-GE3 71625.pdf
SI7850DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+202.99 грн
10+126.14 грн
100+86.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850DP-T1-GE3 VISH-S-A0003692619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI7850DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7850DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.2 A, 0.022 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+212.97 грн
50+138.15 грн
100+94.56 грн
500+72.92 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850DP-T1-GE3 71625.pdf
SI7850DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+217.91 грн
10+138.60 грн
100+82.46 грн
500+67.31 грн
1000+62.45 грн
3000+58.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850DP-T1-GE3 doc71625.pdf
SI7850DP-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 6.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+259.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.