Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7850DP-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI7850DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.2 A, 0.022 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 1.8W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm.
Інші пропозиції SI7850DP-T1-GE3 за ціною від 76.07 грн до 191.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI7850DP-T1-GE3 | Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 60V 6.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI7850DP-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 6.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 2875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI7850DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 14842 шт: термін постачання 411-420 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
 |
SI7850DP-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI7850DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.2 A, 0.022 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 1.8W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm |
на замовлення 501 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
SI7850DP-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI7850DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.2 A, 0.022 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 1.8W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm |
на замовлення 501 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| SI7850DP-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 6.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 6.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 84.01 грн |
| SI7850DP-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 6.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 6.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 74+ | 191.91 грн |
| 101+ | 140.88 грн |
| 113+ | 125.35 грн |
| 500+ | 96.27 грн |
| 1000+ | 82.21 грн |
| 1500+ | 76.07 грн |
| SI7850DP-T1-GE3 |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 14842 шт:
термін постачання 411-420 дні (днів)
| SI7850DP-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7850DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.2 A, 0.022 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
Description: VISHAY - SI7850DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.2 A, 0.022 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI7850DP-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7850DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.2 A, 0.022 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
Description: VISHAY - SI7850DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.2 A, 0.022 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)