SI7852ADP-T1-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1825 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7852ADP-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1825 pF @ 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: PowerPAK® SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції SI7852ADP-T1-E3 за ціною від 88.98 грн до 283.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI7852ADP-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8 Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1825 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V |
на замовлення 3901 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SI7852ADP-T1-E3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 80V 30A 62.5W 17mohm @ 10V |
на замовлення 12921 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI7852ADP-T1-E3 | VISHAY |
09+ |
на замовлення 518 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI7852ADP-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1825 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Description: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1825 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
на замовлення 3901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 283.11 грн |
| 10+ | 178.41 грн |
| 100+ | 124.96 грн |
| 500+ | 95.86 грн |
| 1000+ | 88.98 грн |
| SI7852ADP-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 80V 30A 62.5W 17mohm @ 10V
MOSFETs 80V 30A 62.5W 17mohm @ 10V
на замовлення 12921 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SI7852ADP-T1-E3 |
|
Виробник: VISHAY
09+
09+
на замовлення 518 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)