Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7852ADP-T1-GE3
SI7852ADP-T1-GE3

SI7852ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix

si7852ad.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1825 pF @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+67.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7852ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1825 pF @ 40 V.

Інші пропозиції SI7852ADP-T1-GE3 за ціною від 62.79 грн до 220.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7852ADP-T1-GE3 SI7852ADP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7852ad.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 30A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 2179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
116+111.53 грн
126+102.46 грн
127+97.78 грн
142+80.94 грн
250+75.63 грн
500+70.88 грн
1000+62.79 грн
Мінімальне замовлення: 116
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852ADP-T1-GE3 SI7852ADP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7852ad.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 30A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 2179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+119.49 грн
10+109.78 грн
25+109.22 грн
50+104.77 грн
100+86.72 грн
250+81.03 грн
500+75.95 грн
1000+67.28 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852ADP-T1-GE3 SI7852ADP-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si7852ad.pdf MOSFETs 80V 30A 62.5W 17mohm @ 10V
на замовлення 4674 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+144.86 грн
10+109.66 грн
100+75.46 грн
250+74.09 грн
500+67.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852ADP-T1-GE3 SI7852ADP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7852ad.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1825 pF @ 40 V
на замовлення 4333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+220.72 грн
10+137.78 грн
100+95.17 грн
500+72.22 грн
1000+66.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.