SI7852DP-T1-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 90.58 грн |
| 6000+ | 86.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7852DP-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min), Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V.
Інші пропозиції SI7852DP-T1-E3 за ціною від 93.04 грн до 297.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI7852DP-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V |
на замовлення 16258 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SI7852DP-T1-E3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 2312 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| SI7852DPT1E3 | VISHAY | 10+ SOT23-.. |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| SI7852DP-T1-E3 | VISHAY |
SO-8 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI7852DP-T1-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
на замовлення 16258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 286.25 грн |
| 10+ | 180.81 грн |
| 100+ | 126.95 грн |
| 500+ | 99.56 грн |
| SI7852DP-T1-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
MOSFETs 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 2312 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 297.67 грн |
| 10+ | 192.91 грн |
| 100+ | 111.36 грн |
| 500+ | 94.45 грн |
| 1000+ | 93.04 грн |
| SI7852DPT1E3 |
Виробник: VISHAY
10+ SOT23-..
10+ SOT23-..
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
| SI7852DP-T1-E3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SO-8
SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)



