Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7852DP-T1-E3

SI7852DP-T1-E3 Vishay Siliconix

Name: SI7852DP-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 1656655-3
Price: 274200.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	91.40 грн
6000+	87.46 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SI7852DP-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI7852DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 7.6 A, 0.0165 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.9W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SI7852DP-T1-E3 за ціною від 96.27 грн до 288.58 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

SI7852DP-T1-E3

Vishay

Trans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	96.27 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7852DP-T1-E3

Vishay

Trans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	96.84 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7852DP-T1-E3

Vishay

Trans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 5351 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

116+	122.59 грн

Мінімальне замовлення: 116 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7852DP-T1-E3

Vishay

Trans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 5351 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	128.04 грн
10+	127.29 грн
25+	126.54 грн
100+	121.20 грн
250+	111.55 грн
500+	106.44 грн
1000+	105.72 грн
3000+	105.07 грн

Мінімальне замовлення: 6 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7852DP-T1-E3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V

на замовлення 16108 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	288.58 грн
10+	182.48 грн
100+	128.10 грн
500+	100.47 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7852DP-T1-E3

Vishay Semiconductors

MOSFETs 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

на замовлення 111 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI7852DP-T1-E3

VISHAY

Description: VISHAY - SI7852DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 7.6 A, 0.0165 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 5370 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7852DPT1E3

VISHAY

10+ SOT23-..

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI7852DP-T1-E3

VISHAY

SO-8

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI7852DP-T1-E3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	96.27 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7852DP-T1-E3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	96.84 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7852DP-T1-E3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 5351 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
116+	122.59 грн

Мінімальне замовлення: 116 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7852DP-T1-E3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 5351 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
6+	128.04 грн
10+	127.29 грн
25+	126.54 грн
100+	121.20 грн
250+	111.55 грн
500+	106.44 грн
1000+	105.72 грн
3000+	105.07 грн

Мінімальне замовлення: 6 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7852DP-T1-E3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V

на замовлення 16108 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2+	288.58 грн
10+	182.48 грн
100+	128.10 грн
500+	100.47 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7852DP-T1-E3

Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

на замовлення 111 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI7852DP-T1-E3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7852DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 7.6 A, 0.0165 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 5370 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7852DPT1E3

Виробник: VISHAY
10+ SOT23-..

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI7852DP-T1-E3

Виробник: VISHAY
SO-8

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.