SI7858ADP-T1-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 29A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 6 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 78.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7858ADP-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 29A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 6 V.
Інші пропозиції SI7858ADP-T1-E3 за ціною від 74.86 грн до 191.6 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI7858ADP-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 29A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 6 V |
на замовлення 5150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI7858ADP-T1-E3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET 12V 29A 0.0026Ohm |
на замовлення 29491 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SI7858ADP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
|
на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| SI7858ADP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
09+ |
на замовлення 518 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
 |
SI7858ADP-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 12V 20A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
| SI7858ADP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12V; 29A; Idm: 60A; 5.4W Case: PowerPAK® SO8 Polarisation: unipolar Mounting: SMD Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 5.4W Gate charge: 80nC Technology: TrenchFET® Drain current: 29A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 12V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±8V Kind of package: reel; tape On-state resistance: 3.7mΩ кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
| SI7858ADP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12V; 29A; Idm: 60A; 5.4W Case: PowerPAK® SO8 Polarisation: unipolar Mounting: SMD Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 5.4W Gate charge: 80nC Technology: TrenchFET® Drain current: 29A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 12V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±8V Kind of package: reel; tape On-state resistance: 3.7mΩ |
товар відсутній |