Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7858ADP-T1-E3
SI7858ADP-T1-E3

SI7858ADP-T1-E3 Vishay Siliconix

si7858ad.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 29A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 6 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+89.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7858ADP-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 29A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 6 V.

Інші пропозиції SI7858ADP-T1-E3 за ціною від 84.99 грн до 383.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7858ADP-T1-E3 SI7858ADP-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si7858ad.pdf Description: MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 29A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 6 V
на замовлення 5150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+198.42 грн
10+158.46 грн
100+126.14 грн
500+100.16 грн
1000+84.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7858ADP-T1-E3 SI7858ADP-T1-E3 Виробник : Vishay / Siliconix si7858ad.pdf MOSFETs 12V 29A 0.0026Ohm
на замовлення 25790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+383.79 грн
10+250.17 грн
100+170.54 грн
500+151.60 грн
1000+129.61 грн
3000+121.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI7858ADP-T1-E3 Виробник : VISHAY si7858ad.pdf
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7858ADP-T1-E3 Виробник : VISHAY si7858ad.pdf 09+
на замовлення 518 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7858ADP-T1-E3 SI7858ADP-T1-E3 Виробник : Vishay 73164.pdf Trans MOSFET N-CH 12V 20A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7858ADP-T1-E3 Виробник : VISHAY si7858ad.pdf SI7858ADP-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.