SI7858ADP-T1-E3

SI7858ADP-T1-E3 Vishay Siliconix


si7858ad.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 29A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 6 V
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+86.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7858ADP-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 29A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 6 V.

Інші пропозиції SI7858ADP-T1-E3 за ціною від 82.49 грн до 211.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7858ADP-T1-E3 SI7858ADP-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si7858ad.pdf Description: MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 29A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 6 V
на замовлення 5150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+192.59 грн
10+153.80 грн
100+122.43 грн
500+97.22 грн
1000+82.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7858ADP-T1-E3 SI7858ADP-T1-E3 Виробник : Vishay / Siliconix si7858ad.pdf MOSFET 12V 29A 0.0026Ohm
на замовлення 26215 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+211.14 грн
10+173.44 грн
100+121.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7858ADP-T1-E3 Виробник : VISHAY si7858ad.pdf
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7858ADP-T1-E3 Виробник : VISHAY si7858ad.pdf 09+
на замовлення 518 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7858ADP-T1-E3 SI7858ADP-T1-E3 Виробник : Vishay 73164.pdf Trans MOSFET N-CH 12V 20A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7858ADP-T1-E3 Виробник : VISHAY si7858ad.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12V; 29A; Idm: 60A; 5.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 29A
Power dissipation: 5.4W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: 60A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7858ADP-T1-E3 Виробник : VISHAY si7858ad.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12V; 29A; Idm: 60A; 5.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 29A
Power dissipation: 5.4W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: 60A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.